半导体封装件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，具有彼此背对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述重新分布层的连接垫；包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上，包封所述半导体芯片，并且包括不透明或半透明树脂；标记，表示识别信息并且雕刻在所述包封剂中；以及钝化层，设置在所述包封剂上并且包括透明树脂。

Semiconductor package

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求于2018年10月8日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0119974号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
近来，在与半导体芯片相关的技术开发中的显著趋势是半导体芯片的尺寸的减小。因此，在封装技术的领域中，根据对小尺寸的半导体芯片等的需求的快速增加，已经需要实现在包括多个引脚的同时实现具有紧凑尺寸的半导体封装件。提出以满足上述技术需求的封装技术的一种类型可以是扇出型封装件。这样的扇出型封装件具有紧凑的尺寸，并且可允许通过将连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部而实现多个引脚。
技术实现思路
本公开的一方面可提供一种半导体封装件，该半导体封装件具有可确保其可见性的标记。根据本公开的一方面，一种半导体封装件可包括：连接结构，具有彼此背对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述重新分布层的连接垫；包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上，包封所述半导体芯片，并且包括不透明或半透明树脂；标记，表示识别信息并且雕刻在所述包封剂中；以及钝化层，设置在所述包封剂上并且包括透明树脂。根据本公开的另一方面，一种半导体封装件可包括：连接结构，具有彼此背对的第一表面和第二表面，并且包括第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫；框架，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有其中容纳所述半导体芯片的腔；布线结构，连接到所述第一重新分布层并且贯穿所述框架；包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上，包封所述半导体芯片，并且包括不透明或半透明树脂；第二重新分布层，设置在所述包封剂的上表面的第一区域上并且连接到所述布线结构；标记，表示识别信息并且雕刻在所述包封剂的所述上表面的第二区域中；以及钝化层，设置在所述包封剂的所述上表面上以覆盖所述第二重新分布层，并且所述钝化层包括透明树脂。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图；图2是示出电子装置的示例的示意性透视图；图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和在被封装之后的状态的示意性截面图；图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图；图5是示出扇入型半导体封装件安装在中介基板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图6是示出扇入型半导体封装件嵌在中介基板中并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图7是示出扇出型半导体封装件的示意性截面图；图8是示出扇出型半导体封装件安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图；图9是示出根据本公开中的示例性实施例的半导体封装件的示意性截面图；图10是沿着图9的半导体封装件的线I-I'截取的平面图；图11是表示图9的半导体封装件的第二重新分布层和识别标记的平面图；图12A至图12F是用于描述制造根据本公开中的示例性实施例的半导体封装件的方法的主要工艺的截面图；并且图13和图14是示出根据本公开中的各种示例性实施例的半导体封装件的示意性截面图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本公开中的示例性实施例。在附图中，为了清楚起见，可夸大或缩小组件的形状、尺寸等。这里，为了方便起见，与附图的截面相关的下侧、下部、下表面等用于指向下的方向，而上侧、上部、上表面等用于指与向下的方向相反的方向。然而，这些方向是为了便于说明而定义的，权利要求不被如上所述定义的方向具体限制，并且上部和下部的概念可彼此交换。在说明书中，一个组件与另一组件“连接”的含义在概念上包括两个组件之间通过粘合层的间接连接以及两个组件之间的直接连接。另外，“电连接”在概念上包括物理连接和物理断开。可理解的是，当利用诸如“第一”和“第二”的术语来提及元件时，该元件不由此受限。它们可仅用于将一个元件与其他元件相区分的目的，并且可不限制元件的顺序或重要性。在一些情况下，在不脱离在此阐述的权利要求的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件。类似地，第二元件也可被称为第一元件。在此使用的术语“示例性实施例”不指相同的示例性实施例，而是被提供来强调与另一示例性实施例的特征或特性不同的特定特征或特性。然而，在此提供的示例性实施例被理解为能够通过彼此全部组合或部分组合来实现。例如，除非在其中提供了相反或相矛盾的描述，否则在特定的示例性实施例中描述的一个元件即使其在另一示例性实施例中没有被描述，其也可被理解为与另一示例性实施例相关的描述。在此使用的术语仅用于描述示例性实施例而不限制本公开。在这种情况下，除非上下文中另外解释，否则单数形式包括复数形式。电子装置图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图。参照图1，电子装置1000可将主板1010容纳在其中。主板1010可包括物理连接或者电连接到其的芯片相关组件1020、网络相关组件1030、其他组件1040等。这些组件可通过各种信号线1090连接到以下将描述的其他组件。芯片相关组件1020可包括：存储器芯片，诸如易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如，只读存储器(ROM))、闪存等；应用处理器芯片，诸如中央处理器(例如，中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如，图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等；以及逻辑芯片，诸如模拟数字转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。然而，芯片相关组件1020不限于此，而是还可包括其他类型的芯片相关组件。此外，芯片相关组件1020可彼此组合。网络相关组件1030可包括实现诸如以下的协议的组件：无线保真(Wi-Fi)(电气与电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、演进数据最优化(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、蓝牙、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任意其他无线协议和有线协议。然而，网络相关组件1030不限于此，而是还可包括实现各种其他无线标准或协议或者有线标准或协议的组件。此外，网络相关组件1030可与上述芯片相关组件1020一起彼此组合。其他组件1040可包括高频电感器、铁氧体电感器、功率电感器、铁氧体磁珠、低温共烧陶瓷(LTCC)、电磁干扰(EM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：/n连接结构，具有彼此背对的第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层；/n半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫；/n包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上，包封所述半导体芯片，并且包括不透明或半透明树脂；/n标记，表示识别信息并且雕刻在所述包封剂中；以及/n第一钝化层，设置在所述包封剂上并且包括透明树脂。/n

【技术特征摘要】
20181008 KR 10-2018-01199741.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
连接结构，具有彼此背对的第一表面和第二表面并且包括第一重新分布层；
半导体芯片，设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫；
包封剂，设置在所述连接结构的所述第一表面上，包封所述半导体芯片，并且包括不透明或半透明树脂；
标记，表示识别信息并且雕刻在所述包封剂中；以及
第一钝化层，设置在所述包封剂上并且包括透明树脂。


2.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括布线结构和第二重新分布层，所述布线结构连接到所述第一重新分布层并且在所述包封剂的厚度方向上延伸，所述第二重新分布层设置在所述包封剂上并且连接到所述布线结构。


3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述包封剂包括包封所述半导体芯片的包封区域和设置在所述包封区域上的绝缘层，并且
所述第二重新分布层设置在所述绝缘层上，并且所述标记雕刻在所述绝缘层中。


4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述标记的雕刻深度小于所述绝缘层的厚度。


5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述标记雕刻在所述绝缘层和所述包封区域中。


6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述包封区域和所述绝缘层包括相同的树脂。


7.根据权利要求2所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括框架，所述框架设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有其中容纳所述半导体芯片的腔，
其中，所述布线结构贯穿所述框架。


8.根据权利要求7所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括重新分布过孔，所述重新分布过孔贯穿所述包封剂的延伸区域并且使所述第二重新分布层和所述布线结构彼此连接，
其中，所述包封剂的所述延伸区域覆盖所述框架的上表面。


9.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述第一钝化层包括使所述第二重新分布层的一部分暴露的第一开口。


10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述第一钝化层包括使所述标记暴露的第二开口。


11.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩平和，金正守，崔元，裴成桓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR