【技术实现步骤摘要】
一种半导体对位结构及半导体基板
本技术涉及半导体
,更为具体地说,涉及一种半导体基板。
技术介绍
随着半导体技术的发展,集成电路向着高集成度的方向发展。进而使得在半导体元件制造过程中,通常需要多次光刻工艺才能完成整个制造过程。这就对套刻精度要求越来越高,套刻精度直接影响集成电路产品的成品率。并且,现今在半导体元件的制造过程中,随着元件日趋微小,掩膜板也随之变小,为了使掩膜板的图案能精确的转移到基片上,通常需要在基片上形成数个对准标记以供掩膜板对准,从而使得掩膜板的图案能精确地复制到基片上的所需位置。但是,为了提高套刻精度而使得现有基片上设置的对准标记数量过多,使得基片上对位区所占面积较大,降低了基片的有效布线面积。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供了一种半导体对位结构及半导体基板,有效解决现有技术存在的技术问题,能够降低半导体基板的对位结构的占用面积,提高半导体基板的有效布线面积。为实现上述目的,本技术提供的技术方案如下:一种半导体对位结构,包括:衬底结构;位于所述衬底 ...
【技术保护点】
1.一种半导体对位结构,其特征在于,包括:/n衬底结构;/n位于所述衬底结构的生长面上的至少一个对准标记,及围绕所述对准标记的围绕结构;其中,所述对准标记在平行所述生长面的截面图案的至少一边,与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体对位结构,其特征在于,包括:
衬底结构;
位于所述衬底结构的生长面上的至少一个对准标记,及围绕所述对准标记的围绕结构;其中,所述对准标记在平行所述生长面的截面图案的至少一边,与同一平面上对位坐标轴的x轴和y轴均有倾斜角。
2.根据权利要求1所述的半导体对位结构,其特征在于,在沿相邻两个定义为第一对准标记和第二对准标记的对准标记的排列方向上,所述第一对准标记和所述第二对准标记的宽度,与所述第一对准标记和所述第二对准标记之间对应所述围绕结构处的宽度不同。
3.根据权利要求1所述的半导体对位结构,其特征在于,所述围绕结构为导电材料。
4.根据权利要求1所述的半导体对位结构,其特征在于,所述围绕结构为围绕所有所述对准标记的一体化结构。
5.根据权利要求1所述的半导体对位结构,其特征在于,所述围绕结构包括相互独立的至少一个围绕子结构,所述围绕子结构围绕所述对准标记,且所述围绕子结构与所述对准标记一一对应。
6.根据权利要求1所述的半导体对位结构,其特征在于,至少一对...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾依蕾,曾翔,蔡洋洋,杨忠宪,
申请(专利权)人:福建省晋华集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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