【技术实现步骤摘要】
半导体封装和其制造方法
本揭露系关于一半导体封装和其制造方法，特别系关于具有共形屏蔽之一半导体封装。
技术介绍
随着操作速度增加和装置大小减小，半导体封装可能遇到电磁屏蔽问题。举例来说，较高时钟速度致使在不同层级之间的更频繁信号转变，并且增加在高频率或短波长下电磁发射的强度。电磁发射可从一个半导体装置辐射到相邻半导体装置。在相邻半导体装置的电磁发射具有高强度的情况下，电磁干扰(EMI)可不利地影响半导体装置的操作。如果电子系统具有高密度分布的半导体装置，那么半导体装置当中的EMI变得甚至更糟糕。与车辆应用、机器到机器应用和佩戴式智能装置应用一起，在高速下操作的装置或模块可在系统和模块之间或个别模块之间实施共形屏蔽。某些比较性共形屏蔽操作使用塑料包封物和导电材料，以及溅镀或喷涂达成分段型屏蔽和电磁屏蔽。用于此类装置的制造程序中的一些具有低产量和高制造成本。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供一种半导体封装，其包含具有表面的衬底，以及在所述第一表面上并且电耦合到所述衬底的导电元件。所述导电元件具有与...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，其包括：/n衬底，其具有表面；和/n导电元件，其在所述表面上并且电耦合到所述衬底，所述导电元件具有与所述表面形成小于90度的角度的主轴线。/n
【技术特征摘要】
20181008 US 16/154,4901.一种半导体封装，其包括：
衬底，其具有表面；和
导电元件，其在所述表面上并且电耦合到所述衬底，所述导电元件具有与所述表面形成小于90度的角度的主轴线。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述角度大于85度并且小于90度。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其另外包括环绕所述导电元件的侧向表面并且覆盖所述衬底的所述表面的包封物。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其另外包括覆盖所述包封物的顶表面和侧壁并且经由所述导电元件电耦合到所述衬底的导电层。
5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述包封物具有大于所述导电元件的高度的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电元件包括两个具有不同长度的导电杆。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其另外包括所述表面上的电子组件，所述导电杆中的一个经由所述电子组件电耦合到所述衬底。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电元件沿着所述主轴线逐渐变窄。
9.一种半导体封装，其包括：
衬底，其具有第一表面；
导电元件，其在所述第一表面上，所述导电元件具有侧表面；和
包封物，其覆盖所述导电元件的所述侧表面，
其中第二表面通过所述导电元件和所述包封物，所述第二表面平行于所述第一表面，且所述第二表面上的所述导电元件的形状为椭圆形。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述包封物的顶表面与所述导电元件的顶表面共面。
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其另外包括覆盖所述包封...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁君，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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