晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，能够抑制所需工时的增加，同时能够赋予去疵能力。晶片的加工方法是将晶片薄化的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤(ST2)，在晶片的正面侧粘贴保护部件；磨削步骤(ST3)，利用卡盘工作台的保持面对晶片的保护部件侧进行保持，利用将磨粒借助结合材料固定而得的磨削磨具对晶片的背面侧进行磨削而进行薄化；以及研磨步骤(ST4)，在磨削步骤(ST3)之后，一边对晶片的背面侧提供浆料一边将旋转的研磨垫按压于晶片的背面侧，对晶片的背面侧进行研磨直至成为略微残留有因磨削而形成的磨削应变层的状态为止，从而生成去疵层。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，特别是涉及薄化加工。
技术介绍
随着电子设备的轻薄短小化，常常要求半导体器件薄且小。例如，存储器件大量层叠薄的器件芯片而在不增大尺寸的条件下实现高性能化。为了层叠大量的器件芯片，需要提高各器件芯片的抗弯强度，为了提高薄的器件芯片的抗弯强度，发展了通过研磨将磨削后的晶片的由于磨削所导致的应变层去除的加工技术。但是，通过研磨将由于磨削所导致的应变层去除的加工技术会产生如下的新问题：随着应变层的去除，器件芯片的去疵能力消失，器件由于重金属污染导致特性不良。因此，考虑了各种对进行研磨而去除了应变层的面按照具有去疵性能的程度实施加工的加工技术(例如，参照专利文献1和专利文献2)。专利文献1：日本特许第4871617号公报专利文献2：日本特许第6192778号公报但是，专利文献1和专利文献2所示的加工技术暂时会产生如下的问题：会增加用于使已研磨而去除了应变层的面具有去疵能力而进行的加工的所需工时。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能够抑制所需工时的增加，同时能够赋予去疵能力。为了解决上述课题实现目的，本专利技术的晶片的加工方法将晶片薄化，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：保护部件粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护部件；磨削步骤，利用卡盘工作台的保持面对该晶片的保护部件侧进行保持，利用将磨粒借助结合材料固定而得的磨削磨具对该晶片的背面侧进行磨削而进行薄化；以及研磨步骤，在该磨削步骤之后，一边对该晶片的背面侧提供浆料一边将旋转的研磨垫按压于该晶片的背面侧，对该晶片的背面侧进行研磨直至成为略微残留有因磨削而形成的磨削应变层的状态为止，从而生成去疵层。在所述晶片的加工方法中，也可以是，该晶片的加工方法还具有如下的研磨条件选定步骤：为了确定该研磨步骤的研磨条件，对实施了该磨削步骤之后的该晶片进行研磨，按照该研磨垫的按压力或研磨时间而测量被研磨后的该晶片的该背面侧的表面粗糙度，选定与要通过该研磨步骤进行精加工的表面粗糙度对应的研磨条件。在所述晶片的加工方法中，也可以是，在该研磨步骤中，按照使该磨削应变层的表面粗糙度超过1nm且为10nm以下的方式对该晶片的背面侧进行研磨。在所述晶片的加工方法中，也可以是，该晶片是利用模制树脂对搭载于板状的支承基板上的器件芯片进行覆盖而得的封装晶片，在该磨削步骤中，对模制树脂侧进行磨削直至该器件芯片露出为止，在该研磨步骤中，对封装晶片的该模制树脂侧的面进行研磨，直至成为在因磨削而露出的该器件芯片的正面上略微残留有该磨削应变层的状态为止。本申请专利技术的晶片的加工方法起到如下的效果：能够抑制所需工时的增加，同时能够赋予去疵能力。附图说明图1是示出作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。图3是示出图2所示的晶片的加工方法的保护部件粘贴步骤的立体图。图4是示出图2所示的晶片的加工方法的保护部件粘贴步骤后的晶片的立体图。图5是以局部剖面的方式示出图2所示的晶片的加工方法的磨削步骤的侧视图。图6是图2所示的晶片的加工方法的磨削步骤后的晶片的主要部分的剖视图。图7是示出图2所示的晶片的加工方法的研磨步骤的侧视图。图8是图2所示的晶片的加工方法的研磨步骤后的晶片的主要部分的侧视图。图9是图2所示的晶片的加工方法的研磨条件选定步骤前的晶片的主要部分的剖视图。图10是示出作为实施方式2的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图11是沿着图10中的XI-XI线的剖视图。图12是示出实施方式2的晶片的加工方法的加工后的晶片的立体图。图13是沿着图12中的XIII-XIII线的剖视图。图14是将图13中的XIV区域放大而示出的图。标号说明1：晶片；1-2：晶片(封装晶片)；3、11-1：正面；6：背面；7：磨削应变层；7-1：去疵层；11：支承基板；12：模制树脂；12-1：模制树脂的表面(晶片的背面)；21：卡盘工作台；22：保持面；23：磨削磨具；33：研磨垫；200：粘接带(保护部件)；ST2：保护部件粘贴步骤；ST3：磨削步骤；ST4：研磨步骤；ST5：研磨条件选定步骤。具体实施方式参照附图，对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。[实施方式1]根据附图，对本专利技术的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是示出作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的一例的立体图。图2是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。实施方式1的晶片的加工方法是将图1所示的晶片1薄化的加工方法。在实施方式1中，晶片1是圆板状的半导体晶片或光器件晶片，以硅、蓝宝石或砷化镓等作为基板2。如图1和图2所示，晶片1在基板2的正面3的由格子状的分割预定线4划分的多个区域内分别形成有器件5。器件5例如是IC(IntegratedCircuit：集成电路)或LSI(LargeScaleIntegration：大规模集成)等。实施方式1的晶片的加工方法是将晶片1薄化至规定的完工厚度100的方法。如图2所示，实施方式1的晶片的加工方法具有保持部件粘贴步骤ST2、磨削步骤ST3、研磨步骤ST4以及研磨条件选定步骤ST5。在实施方式1的晶片的加工方法中，操作者等判定研磨步骤ST4中的研磨条件是否已经确定(步骤ST1)，当判定为研磨条件已经确定(步骤ST1：是)时，进入保护部件粘贴步骤ST2。另外，在实施方式1中，研磨步骤ST4中的研磨条件在制造新种类的晶片1时等进行确定。(保护部件粘贴步骤)图3是示出图2所示的晶片的加工方法的保护部件粘贴步骤的立体图。图4是示出图2所示的晶片的加工方法的保护部件粘贴步骤后的晶片的立体图。保护部件粘贴步骤ST2是在晶片1的基板2的正面3侧粘贴作为保护部件的粘接带200的步骤。在实施方式1中，如图3所示，在保护部件粘贴步骤ST2中，在使直径与晶片1相同的粘接带200的粘接层与晶片1的基板2的正面3侧对置之后，如图4所示，将粘接带200的粘接层粘贴于晶片1的基板2的正面3上。在实施方式1中，使用直径与晶片1相同的粘接带200作为保护部件，但在本专利技术中，保护部件不限于粘接带200，例如也可以使用直径与晶片1相同且硬质的圆板状的基板。当在晶片1的基板2的正面3侧粘贴粘接带200时，晶片的加工方法进入至磨削步骤ST3。(磨削步骤)图5是以局部剖面的方式示出图2所示的晶片的加工方法的磨削步骤的侧视图。图6是图2所示的晶片的加工方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，将晶片薄化，其中，/n该晶片的加工方法具有如下的步骤：/n保护部件粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护部件；/n磨削步骤，利用卡盘工作台的保持面对该晶片的保护部件侧进行保持，利用将磨粒借助结合材料固定而得的磨削磨具对该晶片的背面侧进行磨削而进行薄化；以及/n研磨步骤，在该磨削步骤之后，一边对该晶片的背面侧提供浆料一边将旋转的研磨垫按压于该晶片的背面侧，对该晶片的背面侧进行研磨直至成为略微残留有因磨削而形成的磨削应变层的状态为止，从而生成去疵层。/n

【技术特征摘要】
20181003 JP 2018-1882681.一种晶片的加工方法，将晶片薄化，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
保护部件粘贴步骤，在该晶片的正面侧粘贴保护部件；
磨削步骤，利用卡盘工作台的保持面对该晶片的保护部件侧进行保持，利用将磨粒借助结合材料固定而得的磨削磨具对该晶片的背面侧进行磨削而进行薄化；以及
研磨步骤，在该磨削步骤之后，一边对该晶片的背面侧提供浆料一边将旋转的研磨垫按压于该晶片的背面侧，对该晶片的背面侧进行研磨直至成为略微残留有因磨削而形成的磨削应变层的状态为止，从而生成去疵层。


2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有如下的研磨条件选定步骤：为了确定该研磨步骤的研磨条件，对实...

【专利技术属性】
技术研发人员：白滨智宏，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP