半导体器件及其形成方法技术

用于形成半导体器件的方法包括图案化衬底以形成带，该带包括第一半导体材料，沿着该带的侧壁形成隔离区域，该带的上部在隔离区域的顶面之上延伸，沿着该带的上部的侧壁和顶面形成伪结构，对该带的上部的暴露部分实施第一蚀刻工艺以形成第一凹槽，该带的暴露部分通过伪结构暴露，在实施第一蚀刻工艺之后，使用第二蚀刻工艺将第一凹槽重塑为具有V形底面，其中，第二蚀刻工艺相对于具有第二取向的第二晶面对具有第一取向的第一晶面具有选择性，以及在重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明专利技术的实施例还提供了半导体器件。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于诸如例如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。半导体工业通过不断减小最小部件尺寸持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区域。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其它问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍；邻近所述鳍形成隔离区域；在所述鳍上方形成伪结构；使用第一蚀刻工艺使邻近所述伪结构的鳍凹进以形成第一凹槽；使用第二蚀刻工艺重塑所述第一凹槽以形成重塑第一凹槽，其中，所述重塑第一凹槽的底部由所述第一侧壁表面的晶面与所述第二侧壁表面的晶面的交叉点限定，其中，所述第一侧壁表面面向所述第二侧壁表面；以及在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在衬底上方形成鳍；/n邻近所述鳍形成隔离区域；/n在所述鳍上方形成伪结构；/n使用第一蚀刻工艺使邻近所述伪结构的鳍凹进以形成第一凹槽；/n使用第二蚀刻工艺重塑所述第一凹槽以形成重塑第一凹槽，其中，所述重塑第一凹槽的底部由所述第一侧壁表面的晶面与所述第二侧壁表面的晶面的交叉点限定，其中，所述第一侧壁表面面向所述第二侧壁表面；以及/n在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,851;20190603 US 16/429,2621.一种形成半导体器件的方法，包括：
在衬底上方形成鳍；
邻近所述鳍形成隔离区域；
在所述鳍上方形成伪结构；
使用第一蚀刻工艺使邻近所述伪结构的鳍凹进以形成第一凹槽；
使用第二蚀刻工艺重塑所述第一凹槽以形成重塑第一凹槽，其中，所述重塑第一凹槽的底部由所述第一侧壁表面的晶面与所述第二侧壁表面的晶面的交叉点限定，其中，所述第一侧壁表面面向所述第二侧壁表面；以及
在所述重塑第一凹槽中外延生长源极/漏极区域。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺相对于具有第二晶体取向的第二晶面选择性地蚀刻具有第一晶体取向的晶面，其中，所述第一侧壁表面的晶面具有所述第一晶体取向，并且其中，所述第一侧壁表面包括具有所述第二晶体取向的第二晶面。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二晶面具有(111)晶体取向。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺包括使用氢自由基的等离子体蚀刻工艺。


5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺还包括形成氩等离子体。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽的底部与相邻的伪结构之间的第一横向距离小于所述重塑第一凹槽的底部与所述相邻的伪结构之间的第二横向距离。


7.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林千，李堃毓，沙哈吉·B摩尔，李承翰，张世杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71