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用于形成半导体器件的方法包括图案化衬底以形成带，该带包括第一半导体材料，沿着该带的侧壁形成隔离区域，该带的上部在隔离区域的顶面之上延伸，沿着该带的上部的侧壁和顶面形成伪结构，对该带的上部的暴露部分实施第一蚀刻工艺以形成第一凹槽，该带的暴露部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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