【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
肖特基二极管作为发展时间久、技术成熟的半导体器件结构，其属于一种超高速半导体器件，在能源转换领域得到广泛应用，多用作高频应用环境。提高肖特基二极管的单位面积正向导通能力表示更好的正向导通能力，使得导通能量损耗更小，从而可以提升产品能源利用效率。但是传统的对肖特基二极管的单位面积正向导通能力的提高，往往会导致反向阻断漏电流的增大。因此，亟需一种新的改进的半导体器件。
技术实现思路
本技术实施例提供一种半导体器件，能够提高正向导通能力，又不影响反向阻断能力。第一方面，本技术实施例提供一种半导体器件，包括：第一电极层；衬底层，位于第一电极层上，衬底层为具有第一掺杂浓度的第一导电类型；外延层，位于衬底层上并具有远离衬底层的第一表面，外延层为具有第二掺杂浓度的第一导电类型；阱区，为第二导电类型，阱区由第一表面向外延层内延伸设置，多个阱区在第一表面上的正投影相互间隔；第二电极层，包括设置于第一表面上相邻阱区之间的第一金属层，第一金属...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n第一电极层(1)；/n衬底层(2)，位于所述第一电极层(1)上，所述衬底层(2)为具有第一掺杂浓度的第一导电类型；/n外延层(3)，位于所述衬底层(2)上并具有远离所述衬底层(2)的第一表面(30)，所述外延层(3)为具有第二掺杂浓度的第一导电类型；/n阱区(4)，为第二导电类型，所述阱区(4)由所述第一表面(30)向所述外延层(3)内延伸设置，多个所述阱区(4)在所述第一表面(30)上的正投影相互间隔；/n第二电极层(5)，包括设置于所述第一表面(30)上相邻所述阱区(4)之间的第一金属层(51)，所述第一金属层(51)与所述外延...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一电极层(1)；
衬底层(2)，位于所述第一电极层(1)上，所述衬底层(2)为具有第一掺杂浓度的第一导电类型；
外延层(3)，位于所述衬底层(2)上并具有远离所述衬底层(2)的第一表面(30)，所述外延层(3)为具有第二掺杂浓度的第一导电类型；
阱区(4)，为第二导电类型，所述阱区(4)由所述第一表面(30)向所述外延层(3)内延伸设置，多个所述阱区(4)在所述第一表面(30)上的正投影相互间隔；
第二电极层(5)，包括设置于所述第一表面(30)上相邻所述阱区(4)之间的第一金属层(51)，所述第一金属层(51)与所述外延层(3)之间形成势垒高度不同的肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层(51)的靠近所述阱区(4)区域的肖特基接触势垒高度低于其他区域的肖特基接触势垒高度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层(3)的至少部分的所述阱区(4)对应设置有沟槽(31)，对应有所述沟槽(31)的所述阱区(4)围绕所述沟槽(31)的侧壁和底部设置在所述外延层(3)内。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽(31)的开口宽度大于所述沟槽(31)的底部宽度。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极层(5)还包括第二金属层(52)，所述第二金属层(52)覆盖在所述沟槽(31)的侧壁和底部。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔京京，黄玉恩，章剑锋，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36
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