【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、碳化硅mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)半导体器件因具有开关速度快、功耗低的优点，而被广泛应用于各个领域。
2、在传统桥式整流器电路中，在反向偏压时，mosfet半导体器件内形成pin二极管结构，以用于反向续流。然而，pin二极管结构高频特性较差，反向偏压时导通压降vsd较大，一般～4v，无法满足高频、大功率、低功耗的市场需求。
3、因此，亟需一种新的半导体器件。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，能够减少半导体器件反向导通状态下的导通压降vsd。
2、一方面，本申请实施例提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的漂移区、有源区域及发射极；有源区域包括相互独立设置的多个掺杂单元，每个掺杂单元包括第一掺杂区、环绕第一掺杂区的基区...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括依次层叠设置的漂移区、有源区域及发射极；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述发射极包括第一金属、第二金属以及发射极互连，所述第一金属设置于所述第一过孔，所述第二金属设置于所述第二过孔，所述发射极互连位于所述有源区域一侧并与所述第一金属和所述第二金属相连。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一过孔至少部分延伸至所述第二掺杂区，所述发射极通过所述第一过孔与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区由所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括依次层叠设置的漂移区、有源区域及发射极；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述发射极包括第一金属、第二金属以及发射极互连，所述第一金属设置于所述第一过孔，所述第二金属设置于所述第二过孔，所述发射极互连位于所述有源区域一侧并与所述第一金属和所述第二金属相连。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一过孔至少部分延伸至所述第二掺杂区，所述发射极通过所述第一过孔与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区由所述第一掺杂区朝向所述漂移区延伸，所述第一过孔的底面位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的交界处。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掺杂区由所述基区...
【专利技术属性】
技术研发人员：王辉，章剑锋，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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