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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括依次层叠设置的漂移区、有源区域及发射极，有源区域包括相互独立设置的多个掺杂单元，每个掺杂单元包括第一掺杂区、环绕第一掺杂区的基区以及多个第二掺杂区，第二掺杂区设置于第一掺杂区朝向漂移区的一...
该专利属于瑞能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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