【技术实现步骤摘要】
一种超结型MOSFET器件及制备方法
本专利技术涉及半导体功率器件
，更具体的涉及一种超结型MOSFET器件及制备方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应管(英语：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。为了减少DC-DC(直流到直流)转换器中所使用的功率元器件的功耗损失，在MOSFET功率元器件中，通过减少元器件的导通电阻可以有效降低MOS(英文：metaloxidesemiconductor，场效应管)器件工作过程中产生的功率损耗。在实际应用中，MOS元器件的击穿电压与导通电阻成反比关系，所以，当导通电阻减小时，会产生对击穿电压不利的影响。传统的超结型器件由于存在热扩散的问题，会导致超结结构体区内的P型和N型柱由于相互扩散导致电荷分布不均匀现象，从而会影响器件工作时所产生的击穿电压低的问题。同时，随着元器件设计尺寸不断减小，成本控制是目前各个工艺平台最大的瓶颈，故...
【技术保护点】
1.一种超结型MOSFET器件，其特征在于，包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P-体区和N
【技术特征摘要】
1.一种超结型MOSFET器件，其特征在于，包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P-体区和N+源极区；
所述P型柱深槽位于所述第一外延层内，且所述第二外延层位于所述P型柱深槽和所述第一外延层的上层；
所述P-体区位于所述第二外延层内，所述P型柱深槽位于所述P-体区的正下方，且所述P-体区的宽度小于所述P型柱深槽的宽度；
两个所述N+源极区分别位于所述P-体区的两侧。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括多晶硅栅极和栅氧化层；
所述栅氧化层和所述多晶硅栅极依次设置在所述第二外延层上，且延伸至所述P-体区和所述N+源极区的上层。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括绝缘氧化层和金属层；
所述绝缘氧化层位于所述多晶硅栅极上层，且部分所述绝缘氧化层延伸出所述多晶硅栅极位于部分所述N+源极区的上层；
金属层位于所述绝缘氧化层的上层，且部分所述金属层延伸出所述绝缘氧化层位于部分所述N+源极区和部分所述P-体区的上层。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括衬底层，所述衬底层位于所述第一外延层的正下方。
5.一种超结型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：
通过刻蚀方法在第一外延层内形成P型柱深槽，在所述P型柱深槽上表面以及所述第一外延层的上方形成第二外延层；
在所述第二外延层的上方形成栅氧化层和多晶硅栅极；
通过离子注入法在位于所述P型柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏亮，完颜文娟，杨科，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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