【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种包括鳍状场效晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)的半导体装置的形成方法。
技术介绍
半导体元件使用于各种电子应用之中，例如个人电脑、移动电话、数码相机、及其他电子设备。半导体元件通常以依序沉积绝缘或介电层、导电层、以及半导体层材料于半导体基板之上制造，并使用光刻图案化各材料层以在其上形成电路组件和零件。半导体工业以持续减少最小部件尺寸而改善了各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度，其允许在给定的面积中整合更多的组件。然而，当最小部件尺寸减少，出现了其他应解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例包括一种半导体装置的形成方法，包括蚀刻半导体鳍片以形成凹槽；以及形成源极/漏极区域于凹槽之中，形成源极/漏极区域包括：在600℃至800℃的温度下外延成长第一半导体材料于凹槽之中，第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及在300℃至600℃的温度下顺应性地沉积第二半导体材...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n蚀刻一或多个半导体鳍片以形成一或多个凹槽；以及/n形成源极/漏极区域于该一或多个凹槽之中，其中形成该源极/漏极区域包括：/n在600℃至800℃的一温度下外延成长一第一半导体材料于该一或多个凹槽之中，该第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及/n在300℃至600℃的一温度下顺应性地沉积一第二半导体材料于该第一半导体材料之上，该第二半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第一半导体材料具有一不同的组成。/n
【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,698;20190822 US 16/548,4301.一种半导体装置的形成方法，包括：
蚀刻一或多个半导体鳍片以形成一或多个凹槽；以及
形成源极/漏极区域于该一或多个凹槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁姮彣，陈科维，李启弘，郑培仁，宋学昌，李彦儒，林俊安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。