横向双扩散晶体管的制造方法技术

技术编号:23673837 阅读:33 留言:0更新日期:2020-04-04 18:58
公开一种横向双扩散晶体管的制造方法,包括:在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模,衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区;经由第一硬掩模的开口,在衬底中形成N型漂移区,N型漂移区与P型阱区隔开且与N型阱区邻接;在第一硬掩模和衬垫氧化层的表面上沉积第二硬掩模;以及经由第二硬掩模的开口,在N型漂移区上方形成场氧化层。该制造方法通过刻蚀第一硬掩模形成开口,经由开口形成漂移区,节省了掩模,并在第一硬掩模上方沉积第二硬掩模,以使得漂移区上方的氮化物层的厚度小于其他区域的氮化物层的厚度,鸟嘴的长度增加,以降低鸟嘴区域下方的硅衬底的电场,在节省工艺成本的同时有效提升晶体管的击穿电压。

Manufacturing method of transverse double diffused transistor

【技术实现步骤摘要】
横向双扩散晶体管的制造方法
本专利技术涉及半导体
,具体地,涉及一种横向双扩散晶体管的制造方法。
技术介绍
横向扩散MOS(LateralDouble-DiffusedMOSFET,LDMOS)晶体管作为功率场效应晶体管的一种,具有工艺兼容、热稳定性和频率稳定性好、增益高、反馈电容和热阻低、以及输入阻抗恒定等优良特性,因此得到了广泛应用,人们对于LDMOS的性能要求也越来越高。在LDMOS的应用中,要求在满足源漏击穿电压BV-dss高的前提下,尽可能降低器件的源漏导通电阻Rdson,但是源漏击穿电压与导通电阻的优化要求确是矛盾的。通常来说,降低LDMOS的导通阻抗的方法就是在不断提高漂移区浓度的同时,通过各种RESURF(ReducedSURfaceField,降低表面电场)理论,使其能够完全耗尽,从而获得低导通阻抗,并维持很高的击穿电压。图1示出现有技术的横向双扩散晶体管的截面结构示意图。如图1所示,在传统NLDMOS工艺中,衬底101中形成有P阱区102和N阱区103以及漂移区104,场板151是搭在漂移区的场氧化层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向双扩散晶体管的制造方法,其特征在于,包括:/n在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模,所述衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区;/n经由第一硬掩模的开口,在所述衬底中形成N型漂移区,所述N型漂移区与所述P型阱区隔开且与所述N型阱区邻接;/n在所述第一硬掩模和所述衬垫氧化层的表面上沉积第二硬掩模;以及/n经由第二硬掩模的开口,在所述N型漂移区上方形成场氧化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散晶体管的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模,所述衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区;
经由第一硬掩模的开口,在所述衬底中形成N型漂移区,所述N型漂移区与所述P型阱区隔开且与所述N型阱区邻接;
在所述第一硬掩模和所述衬垫氧化层的表面上沉积第二硬掩模;以及
经由第二硬掩模的开口,在所述N型漂移区上方形成场氧化层。


2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一硬掩模和所述第二硬掩模分别采用以下步骤形成:
形成氮化物层;
在所述氮化物层上形成抗蚀剂掩模;以及
经由所述抗蚀剂掩模蚀刻所述氮化物层以形成开口。


3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管的制造方法,其特征在于,所述第一硬掩模在形成开口时使用的所述抗蚀剂掩模为N型漂移区掩模,所述第二硬掩模在形成开口时使用的所述抗蚀剂掩模为有源区掩模。


4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管的制造方法,其特征在于,经由第二硬掩模的开口,在所述N型漂移区上方形成场氧化层,包括以下步骤:
将位于所述N型漂移区上方的部分所述第二硬掩模刻蚀,暴露出所述衬垫氧化层的部分表面;以及
在所述衬垫氧化层的暴露区...

【专利技术属性】
技术研发人员:韩广涛陆阳
申请(专利权)人:杰华特微电子杭州有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1