半导体结构制造技术

本发明专利技术描述了形成具有两个或多个钛‑铝(TiAl)层的栅极堆叠件的方法，该两个或多个钛‑铝(TiAl)层具有不同Al浓度(例如，不同的Al/Ti比)的。例如，栅极结构可以包括具有第一Al/Ti比的第一TiAl层和具有第二Al/Ti比的第二TiAl层，第二TiAl层的第二Al/Ti比大于第一TiAl层的第一Al/Ti比。本申请的实施例还涉及半导体结构。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术的实施例涉及半导体结构。
技术介绍
可以通过调整晶体管的栅极结构内的功函层的厚度来调整晶体管(例如，p型晶体管)的阈值电压。然而，缩放晶体管栅极结构-以制造更小的器件-引入阈值电压调节的挑战，因为由于晶体管之间的间隔减小，对功函层厚度的调整受到限制。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体结构，包括：鳍，位于衬底上；隔离层，位于所述衬底上并且覆盖所述鳍的底部；以及栅极结构，位于所述鳍的未由所述隔离层覆盖的部分上，其中，所述栅极结构包括：第一钛-铝(TiAl)层，位于所述鳍上并且具有第一Al/Ti比；以及第二TiAl层，位于所述第一TiAl层上并且具有大于所述第一Al/Ti比的第二Al/Ti比。本专利技术的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：鳍，位于衬底上；隔离区域，位于所述衬底上并且覆盖所述鳍的底部；以及栅极结构，位于所述鳍的未由所述隔离区域覆盖的部分上，其中，所述栅极结构包括：第一钛-铝(TiAl)层，具有第一Al/Ti比；第二TiAl层，具有大于所述第一Al/Ti比的第二Al/T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n鳍，位于衬底上；/n隔离层，位于所述衬底上并且覆盖所述鳍的底部；以及/n栅极结构，位于所述鳍的未由所述隔离层覆盖的部分上，其中，所述栅极结构包括：/n第一钛-铝(TiAl)层，位于所述鳍上并且具有第一Al/Ti比；以及/n第二TiAl层，位于所述第一TiAl层上并且具有大于所述第一Al/Ti比的第二Al/Ti比。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,673;20190611 US 16/438,1681.一种半导体结构，包括：
鳍，位于衬底上；
隔离层，位于所述衬底上并且覆盖所述鳍的底部；以及
栅极结构，位于所述鳍的未由所述隔离层覆盖的部分上，其中，所述栅极结构包括：
第一钛-铝(TiAl)层，位于所述鳍上并且具有第一Al/Ti比；以及
第二TiAl层，位于所述第一TiAl层上并且具有大于所述第一Al/Ti比的第二Al/Ti比。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一Al/Ti比等于或小于所述第二Al/Ti比的80％。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一TiAl层的厚度在所述第二TiAl层的厚度的30％和300％之间。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一Al/Ti比在所述第一TiAl层内变化。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极结构还包括位于所述第二TiAl层上的第三TiAl层，其中，所述第三TiAl层具有小于所述第二Al/Ti比的第三Al/Ti比。


6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智纬，蔡家铭，刘格志，钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特，余典卫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71