半导体装置制造方法及图纸

本公开实施例提供半导体装置，此半导体装置包含栅极结构、间隔结构、及形成于半导体层表面上的源极/漏极结构。栅极结构包含介电结构、金属结构、及绝缘结构。介电结构形成于半导体层表面上。金属结构底端接触介电结构顶端。绝缘结构底端接触金属结构顶端，且绝缘结构于金属结构顶端之上突出。间隔结构配置为在绝缘结构底端下方延伸，且接触金属结构侧壁。间隔结构配置为隔开栅极结构与源极/漏极结构。源极/漏极结构包含源极/漏极掺杂结构、硅化物结构、以及金属接触插塞。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及半导体装置，特别涉及使用先栅极制程制造的半导体装置。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经经历了指数型成长。随着技术节点微缩，栅极堆叠材料(例如，高介电常数(high-k)栅极绝缘层、金属栅极(MG)电极，及类似材料)的导入得以重启摩尔定律。高介电常数/金属栅极型(high-k/MG)的栅极堆叠材料能整合于先栅极(gate-first)制程或后栅极(gate-last)制程。在先栅极制程中，栅极结构是在形成源极-漏极结构之前形成。在后栅极制程中，栅极结构是在形成源极-漏极结构之后形成。
技术实现思路
本专利技术实施例提供半导体装置，此半导体装置包含栅极结构以及间隔结构。栅极结构形成于半导体层的表面上。栅极结构包含介电结构、金属结构、以及绝缘结构。介电结构形成于半导体层的表面上。金属结构的底端接触介电结构的顶端。绝缘结构的底端接触金属结构的顶端，且绝缘结构于金属结构的顶端之上突出。间隔结构配置为在绝缘结构的底端下方延伸，且接触金属结构的侧壁。本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一栅极结构，形成于一半导体层的一表面上，该栅极结构包括：/n一介电结构，形成于该半导体层的该表面上；/n一金属结构，该金属结构的一底端接触该介电结构的一顶端；以及/n一绝缘结构，该绝缘结构的一底端接触该金属结构的一顶端，且该绝缘结构于该金属结构的该顶端之上突出；以及/n一间隔结构，配置为在该绝缘结构的该底端下方延伸，且接触该金属结构的一侧壁。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,551;20181228 US 16/236,2251.一种半导体装置，包括：
一栅极结构，形成于一半导体层的一表面上，该栅极结构包括：
一介电结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨世海，徐志安，林佑明，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71