FinFET器件及其形成方法技术

提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成半导体条。在衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区。对隔离区执行第一凹进工艺以暴露半导体条的第一部分。再成形半导体条的第一部分以形成半导体条的再成形的第一部分。对隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于半导体条的再成形的第一部分下方的半导体条的第二部分。再成形半导体条的第二部分以形成半导体条的再成形的第二部分。半导体条的再成形的第一部分和半导体条的再成形的第二部分形成鳍。鳍远离隔离区的最顶部表面延伸。

FinFET device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
FinFET器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及FinFET器件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。晶体管是在半导体器件中经常使用的元件。例如，在单个集成电路(IC)上可能存在大量晶体管(例如，数百、数千或数百万个晶体管)。例如，在半导体器件制造中使用的普通类型的晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。平面晶体管(例如，平面MOSFET)通常包括设置在衬底中的沟道区上方的栅极电介质，以及形成在栅极电介质上方的栅电极。晶体管的源极区和漏极区形成在沟道区的任一侧上。多栅极场效应晶体管(MuGFET)是半导体技术的最新发展。一种类型的MuGFET称为鳍式场效应晶体管(FinFET)，它是包括鳍形半导体材料的晶体管结构，该鳍形半导体材料垂直地从集成电路的半导体表面凸出。
技术实现思路
r>本专利技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在衬底上形成半导体条；/n在所述衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区；/n对所述隔离区执行第一凹进工艺以暴露所述半导体条的第一部分；/n再成形所述半导体条的所述第一部分以形成所述半导体条的再成形的第一部分；/n对所述隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于所述半导体条的再成形的第一部分下方的所述半导体条的第二部分；以及/n再成形所述半导体条的所述第二部分以形成所述半导体条的再成形的第二部分，其中，所述半导体条的再成形的第一部分和所述半导体条的再成形的第二部分形成鳍，并且其中，所述鳍远离所述隔离区的最顶部表面延伸。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,218;20190111 US 16/245,5191.一种形成半导体器件的方法，包括：
在衬底上形成半导体条；
在所述衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区；
对所述隔离区执行第一凹进工艺以暴露所述半导体条的第一部分；
再成形所述半导体条的所述第一部分以形成所述半导体条的再成形的第一部分；
对所述隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于所述半导体条的再成形的第一部分下方的所述半导体条的第二部分；以及
再成形所述半导体条的所述第二部分以形成所述半导体条的再成形的第二部分，其中，所述半导体条的再成形的第一部分和所述半导体条的再成形的第二部分形成鳍，并且其中，所述鳍远离所述隔离区的最顶部表面延伸。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述第一凹进工艺包括使用第一蚀刻剂的第一蚀刻工艺，并且其中，执行所述第二凹进工艺包括使用所述第一蚀刻剂的第二蚀刻工艺。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，再成形所述半导体条的所述第一部分包括第一蚀刻工艺。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，再成形所述半导体条的所述第二部分包括与所述第一蚀刻工艺不同的第二蚀刻工艺。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，再成形所述半导体条的所述第一部分包括改变所述半导体条的所述第一部分的侧壁的斜率。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，再成形所述半导体条的所述第二部...

【专利技术属性】
技术研发人员：什哈吉·B·摩尔，张世杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71