平面结构沟道金氧半场效晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种平面结构沟道金氧半场效晶体管。平面结构沟道金氧半场效晶体管包括基体，基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，第一基板为P型晶圆基板，第二基板经过深N‑阱工艺处理。第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，沟道中形成有栅极，沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，栅极、源极和漏极位于基体的同侧。本实用新型专利技术中沟道型栅极和同侧设置的栅极、源极和漏极结构可以提高导通性能，减小单元间距，从而降低集成电源芯片的单位导通电阻，提高导通性能，并将同性能条件下的晶体管面积减小一半左右，同时便于在同一基体上集成多个晶体管结构。

Planar structure channel golden oxygen half effect transistor

【技术实现步骤摘要】
平面结构沟道金氧半场效晶体管
本技术涉及集成电路半导体领域，尤其涉及一种平面结构沟道金氧半场效晶体管及其加工方法。
技术介绍
现有技术LDMOS是集成电源芯片中的MOSFET器件，它可以很容易的同CMOS工艺集成在一块晶片上，提供较好的单位导通阻值(RdsA)和高开关速度。沟道型MOSFET可以提供更小的晶圆占用面积，因为沟道型MOSFET可以实现更小的单元间距和更高的电流密度。例如在耐压等级(BV)为34V的工艺下，沟道型MOSFET可以达到单位导通阻值RdsA(Vgs＝5V)3～4mOhm-mm2，同样耐压等级的LDMOS则只能达到RdsA(Vgs＝5V)～7mOhm-mm2(数字越小说明单位导通阻值越低，MOSFET的效率越高)。但是因为沟道型MOSFET的电极分布在晶圆上下两端，所以无法同CMOS工艺集成在一起。
技术实现思路
本技术实施方式提供的一种平面结构沟道金氧半场效晶体管，包括基体，所述基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，所述第一基板为P型晶圆基板，所述第二基板经过深N-阱工艺处理，<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，包括基体，所述基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，所述第一基板为P型晶圆基板，所述第二基板经过深N-阱工艺处理，/n所述第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，所述沟道中形成有栅极，所述沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，所述栅极、源极和漏极位于所述基体的同侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，包括基体，所述基体自下而上分别包括第一基板和第二基板，所述第一基板为P型晶圆基板，所述第二基板经过深N-阱工艺处理，
所述第二基板的上表面形成有多个相互间隔的沟道，所述沟道中形成有栅极，所述沟道的相邻两侧分别形成有源极和漏极，所述栅极、源极和漏极位于所述基体的同侧。


2.根据权利要求1所述的平面结构沟道金氧半场效晶体管，其特征在于，所述第二基板上表面覆盖有氧化层。


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【专利技术属性】
技术研发人员：潘继，徐鹏，
申请(专利权)人：无锡沃达科半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32