一种MOSFET制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件技术领域,公开了一种MOSFET，通过将MOSFET的栅极多晶硅层从中间区域引至边缘，然后通过第四电极与栅极金属电连接，而且由于第二栅极多晶硅层的底部设有第三氧化层、第二栅极多晶硅层的周围设有氧化层，能够使第二栅极多晶硅层承受漏极电压，不用开设相应的接口沟槽以及在接口沟槽中设置提供保护作用的氧化层，这样MOSFET在刻蚀时由于第一沟槽至第M沟槽的整体宽度差异小于0.1um.不用担心有颗粒残留在沟槽中。0.1um.不用担心有颗粒残留在沟槽中。0.1um.不用担心有颗粒残留在沟槽中。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET


[0001]本技术涉及半导体器件
，具体涉及一种MOSFET。

技术介绍

[0002]MOSFET，一种功率半导体器件，被广泛的应用在模拟电路和数字电路上。如图1所示，图1中的3408为栅极多晶硅层、3416为氧化层，现有MOSFET的栅极多晶硅与金属层的接口沟槽大多被设计在芯片边缘附近，在实际使用时，为了使该接口沟槽能够承受漏极电压，接口沟槽的内壁需要很厚的氧化层，这样会导致接口沟槽的宽度比核心区的沟槽宽度大，而在MOSFET的腐蚀工艺中，沟槽越宽，沟槽的深度越深，特别是对于核心区的沟槽间距小于1微米的屏蔽栅沟槽MOSFET，由于核心区沟槽宽度已经越来越窄(比如，小于0.2微米)，如果宽沟槽的宽度大于窄沟槽的2倍以上(比如，0.5微米以上)，那就会使得刻蚀后宽窄沟槽深度的区别更严重，甚至于会造成一些颗粒残余在宽沟槽里的等问题，影响MOSFET的正常使用。

技术实现思路

[0003]鉴于
技术介绍
的不足，本技术是提供了一种MOSFET及其制造方法，所要解决的技术问题是现有MOSFET的接口沟槽内壁由于有很厚的氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET，其特征在于：包括衬底，所述衬底的顶部设有外延层，所述外延层的顶部设有P型半导体,所述P型半导体的顶部设有氧化层，所述氧化层的上表面的左部和右部分别设有第一栅极金属和第二栅极金属，所述氧化层的上表面的中部设有源极金属；所述P型半导体上表面的左部设有第一N+扩散区，所述P型半导体上表面的右部设有第二N+扩散区，所述第一N+扩散区和第二N+扩散区间隔设置；所述P型半导体的上表面从前往后依次开设有第一沟槽、第二沟槽
……
和第M沟槽，所述第一沟槽、第二沟槽
……
和第M沟槽均横向设置且分别经过所述第一N+扩散区和第二N+扩散区，所述第一沟槽、第二沟槽
……
和第M沟槽的底部分别延伸至外延层；所述第一沟槽和第M沟槽内分别设有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层通过第一电极与所述源极金属电连接，所述P型半导体的上表面在每两个相邻的沟槽之间分别设有第二电极，所述第二电极的两端分别电连接P型半导体和源极金属；所述第二沟槽至第M
‑
1沟槽在所述第一N+扩散区和第二N+扩散区之间设有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层通过第三电极与源极金属电连接；所述第二沟槽至第M
‑
1沟槽在所述第二屏蔽层的两侧从下往上分别设有第一氧化层、第三屏蔽层、第二氧化层和栅极多晶硅层，两所述栅极多晶硅层分别通过第四电极与第一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘继，徐鹏，
申请(专利权)人：无锡沃达科半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：