下载一种MOSFET的技术资料

文档序号:30201620

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本实用新型涉及半导体器件技术领域,公开了一种MOSFET,通过将MOSFET的栅极多晶硅层从中间区域引至边缘,然后通过第四电极与栅极金属电连接,而且由于第二栅极多晶硅层的底部设有第三氧化层、第二栅极多晶硅层的周围设有氧化层,能够使第二栅极多...
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