用于制作电荷平衡（CB）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的技术制造技术

一种电荷平衡(CB)沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件可以包括电荷平衡(CB)层，所述CB层限定在具有第一导电类型的第一外延(epi)层内。所述CB层可以包括具有第二导电类型的电荷平衡(CB)区。所述CB沟槽MOSFET器件可以包括器件层，所述器件层限定在第二epi层中并且具有所述第一导电类型，其中，所述器件层布置在所述CB层上。所述器件层可以包括源极区、基极区、沟槽特征和具有所述第二导电类型的屏蔽区，所述屏蔽区布置在所述沟槽特征的底表面处。所述器件层还可以包括具有所述第二导电类型的电荷平衡(CB)总线区，所述CB总线区在所述CB层的CB区与具有所述第二导电类型的所述器件层的至少一个区之间延伸并且将所述CB层的CB区电耦接到具有所述第二导电类型的所述器件层的至少一个区。的所述器件层的至少一个区。的所述器件层的至少一个区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制作电荷平衡（CB）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的技术

技术介绍

[0001]本文所公开的主题涉及半导体功率器件，并且更具体地涉及用于提供电荷平衡 (CB)半导体功率器件的系统。
[0002]对于半导体功率器件，电荷平衡(CB)设计提供若干优势。例如，相对于传统单极器件设计，CB器件展现出减小的电阻以及每单位面积的减少的传导损耗。然而，利用浮空CB区的CB器件的切换速度取决于半导体材料中的载流子的重组生成速率。对于一些半导体材料(如宽带隙材料)，重组生成速率可能相对较低并且可能导致相对较低的切换速度。这些浮空CB区可以提高切换速度，然而，浮空CB区可能是不可预测的。例如，可能很难确定或测量与浮空CB区相关联的电位(例如，电压电平)，这可能造成器件操作期间的不规则性和/或不可预测性。

技术实现思路

[0003]一种电荷平衡(CB)沟槽金属氧化物半导体(MOS)器件可以包括电荷平衡(CB) 层，该CB层限定在具有第一导电类型的第一外延(epi)层内。该CB层包括具有第二导电类型的多个电荷平衡(CB)区。该CB沟槽MOS器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电荷平衡(CB)沟槽金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：电荷平衡(CB)层，所述CB层限定在第一外延(epi)层内并且具有第一导电类型，其中，所述CB层包括具有第二导电类型的多个电荷平衡(CB)区；器件层，所述器件层限定在第二epi层中并且具有所述第一导电类型，所述器件层布置在所述CB层上，其中，所述器件层包括：具有所述第一导电类型的源极区，所述源极区布置在所述第二epi层的上表面处；具有所述第二导电类型的基极区，所述基极区布置在所述源极区下方；沟槽特征，所述沟槽特征从所述第二epi层的上表面延伸到所述基极区下方的深度；以及具有所述第二导电类型的屏蔽区，所述屏蔽区至少部分地布置在所述沟槽特征的底表面处；以及具有所述第二导电类型的电荷平衡(CB)总线区，所述CB总线区在所述CB层的多个CB区与所述器件层的具有所述第二导电类型的至少一个区之间延伸并且将所述CB层的多个CB区电耦接到所述器件层的具有所述第二导电类型的至少一个区。2.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述CB总线区从布置在所述源极区上的源极触点通过欧姆接触电耦接到所述多个CB区。3.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述屏蔽区的宽度大于所述沟槽特征的宽度，并且其中，所述沟槽特征的深度大于所述沟槽特征的宽度。4.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，与所述CB MOS器件相关联的节距介于2.5微米(μm)与4μm之间，并且其中，所述沟槽特征的宽度范围为1μm到1.5μm。5.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述基极区布置在所述CB MOS器件的有源区域中。6.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述CB总线区包括第一植入区，所述第一植入区基本上与第二植入区对准。7.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述CB总线区从布置在所述源极区上的源极触点通过欧姆接触电耦接到所述多个CB区。8.如权利要求1所述的CB MOS器件，包括增强掺杂区，所述增强掺杂区布置在所述基极区下方。9.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述CB总线区在所述多个CB区与所述CB MOS器件的有源区域中的体区之间延伸并将所述多个CB区电耦接到所述CB MOS器件的有源区域中的体区。10.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述CB总线区在所述CB MOS器件的高架区域中形成并且电耦接到也在所述CB MOS器件的高架区域中形成的体区。11.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述第一导电类型由p型掺杂剂产生。12.如权利要求1所述的CB MOS器件，包括附加的沟槽特征。13.如权利要求1所述的CB MOS器件，其中，所述屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：