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本公开实施例提供半导体装置，此半导体装置包含栅极结构、间隔结构、及形成于半导体层表面上的源极/漏极结构。栅极结构包含介电结构、金属结构、及绝缘结构。介电结构形成于半导体层表面上。金属结构底端接触介电结构顶端。绝缘结构底端接触金属结构顶端，且...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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