半导体结构和半导体电路制造技术

本发明专利技术描述了半导体结构，该半导体结构包括来自未掺杂半导体材料的衬底和设置在衬底上的鳍。该鳍包括非极性顶面和两个相对的第一和第二极性侧壁表面。该半导体结构还包括位于第一极性侧壁表面上的极化层、位于极化层上的掺杂半导体层、位于掺杂半导体层和第二极性侧壁表面上的介电层，以及位于介电层和第一极性侧壁表面上的栅电极层。本发明专利技术的实施例还涉及半导体电路。

Semiconductor structure and semiconductor circuit

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和半导体电路
本申请的实施例涉及半导体结构和半导体电路。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已按比例缩小成为提高硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术性能的首选设计选择。随着器件按比例缩小产生更小的晶体管，产生的更大器件密度已经产生了100W/cm2的量级的功率密度。进一步按比例缩小还将增加功率密度并且导致晶体管损坏。
技术实现思路
本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：鳍，包括非极性顶面和两个相对的第一极性侧壁表面和第二极性侧壁表面；第一极性层，位于所述第一极性侧壁表面上；第二极性层，位于所述第二极性侧壁表面上；以及栅电极层，位于所述第一极性层和所述第二极性层上。本申请的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括未掺杂半导体材料；鳍，位于所述衬底上，并具有非极性顶面和两个相对的第一极性侧壁表面和第二极性侧壁表面，其中，所述鳍包括所述未掺杂半导体材料；极化层，位于所述第一极性侧壁表面上；掺杂半导体层，位于所述极化层上；介电层，位于所述掺杂半导体层和所述第二极性侧壁表面上；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n鳍，包括非极性顶面和两个相对的第一极性侧壁表面和第二极性侧壁表面；/n第一极性层，位于所述第一极性侧壁表面上；/n第二极性层，位于所述第二极性侧壁表面上；以及/n栅电极层，位于所述第一极性层和所述第二极性层上。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,447;20190314 US 16/353,6641.一种半导体结构，包括：
鳍，包括非极性顶面和两个相对的第一极性侧壁表面和第二极性侧壁表面；
第一极性层，位于所述第一极性侧壁表面上；
第二极性层，位于所述第二极性侧壁表面上；以及
栅电极层，位于所述第一极性层和所述第二极性层上。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一极性侧壁表面和所述第二极性侧壁表面包括具有相反极性的局部界面极化电荷。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一极性层和所述第二极性层中的每个均包括具有相同或不同摩尔分数比的氮化铝或氮化铝镓。


4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一极性层和所述第二极性层中的每个均具有相同或不同的厚度。


5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一极性层和所述第二极性层的厚度在1nm和3nm之间。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述鳍包括未掺杂氮化镓，所述未掺杂氮化镓的高度在30nm和50nm之间并且宽度在8nm和10nm之间。


7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一极性侧壁表面、所述第一极性层和所述第一极性层上的所述栅电极层形成第一类型的场效应晶体管，并且所述第二极性侧壁表面、所述第二极性层和所述第二极性层上的所述第二栅电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦特西亚斯·帕斯拉克，荷尔本·朵尔伯斯，彼得·拉姆瓦尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71