温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明描述了半导体结构，该半导体结构包括来自未掺杂半导体材料的衬底和设置在衬底上的鳍。该鳍包括非极性顶面和两个相对的第一和第二极性侧壁表面。该半导体结构还包括位于第一极性侧壁表面上的极化层、位于极化层上的掺杂半导体层、位于掺杂半导体层和第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。