【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成半导体器件的方法
本专利技术的实施例提供了半导体器件和形成半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在集成电路发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。然而，传统的晶体管布局设计尚未针对高速IC应用进行优化，其中寄生电容和/或电阻会显著降低器件性能。因此，虽然现有的半导体IC器件对于它们的预期目的通常已经足够，但它们不是在每个方面都完全都已完全令人满意。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一类器件，其中，所述第一类器件包括：第一鳍结构，在第一方向上延伸；第一栅极，包裹所述第一鳍结构，其中，所述第一栅极在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并具有在第一方向上测...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n第一类器件，其中，所述第一类器件包括：/n第一鳍结构，在第一方向上延伸；/n第一栅极，包裹所述第一鳍结构，其中，所述第一栅极在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸；以及/n第一槽接触件，设置在所述第一鳍结构上方，其中，所述第一槽接触件具有在所述第一方向上测量的第一槽接触件尺寸；以及/n第二类器件，其中，所述第二类器件包括：/n第二鳍结构，在第三方向上延伸；/n第二栅极，包裹所述第二鳍结构，其中，所述第二栅极在与所述第三方向不同的第四方向上延伸并具有在所述第三方向上测量的第二栅极尺寸；以及/n第二槽接触件，设置在...
【技术特征摘要】
20180926 US 62/736,493;20190516 US 16/414,4881.一种半导体器件，包括：
第一类器件，其中，所述第一类器件包括：
第一鳍结构，在第一方向上延伸；
第一栅极，包裹所述第一鳍结构，其中，所述第一栅极在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸；以及
第一槽接触件，设置在所述第一鳍结构上方，其中，所述第一槽接触件具有在所述第一方向上测量的第一槽接触件尺寸；以及
第二类器件，其中，所述第二类器件包括：
第二鳍结构，在第三方向上延伸；
第二栅极，包裹所述第二鳍结构，其中，所述第二栅极在与所述第三方向不同的第四方向上延伸并具有在所述第三方向上测量的第二栅极尺寸；以及
第二槽接触件，设置在所述第二鳍结构上方，其中，所述第二槽接触件具有在所述第三方向上测量的第二槽接触件尺寸，其中，所述第二槽接触件尺寸大于所述第二栅极尺寸并且大于所述第一槽接触件尺寸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件包括逻辑器件；
所述第二类器件包括非逻辑器件；以及
所述第一类器件和所述第二类器件制造在同一集成电路(IC)芯片上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
在所述第一槽接触件尺寸和所述第一栅极尺寸之间存在第一比率；
在所述第二槽接触件尺寸和所述第二栅极尺寸之间存在第二比率；以及
所述第二比率大于所述第一比率。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件还包括与所述第一栅极分隔开第一栅极间距的第三栅极；
所述第二类器件还包括与所述第二栅极间隔开第二栅极间距的第四栅极；以及
所述第二栅极间距大于所述第一栅极间距。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件还包括设置在所述第一槽接触件上方的第一通孔，所述第一通孔的第一通孔尺寸大于所述第一槽接触件尺寸；以及
所述第二类型器件还包括设置在所述第二槽接触件上方的第二通孔，所述第二通孔的第二通孔尺寸小于所述第一槽接触件尺寸。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述第一类器件还包括：
多个附加的第一槽接触件在所述第一方向上彼此间隔开；以及
一个或多个连续的第一金属线，每条金属线在所述第一方向上延伸并且电连接至所述第一槽接触件的至少一个子集中的每个；所述第二类器件还包括：
多个附加的第二槽接触件在所述第三方向上彼此间隔开；以及
多个金属岛，每个金属岛电连接至所述第二槽接触件中不同的一个。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
第一类器件还包括：
多个第一栅极，在所述第一方向上彼此间隔开；
第一金属线，在所述第一方向上延伸；
第二金属线，在所述第一方...
【专利技术属性】
技术研发人员：林杰峯，林志勇，于殿圣，杨筱岚，廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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