半导体器件和形成半导体器件的方法技术

半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括：形成在有源区域上方的第一栅极结构和与第一栅极结构相邻设置的第一空气间隔件。第二器件包括：形成在隔离结构上方的第二栅极结构和与第二栅极结构相邻设置的第二空气间隔件。第一空气间隔件和第二空气间隔件具有不同的尺寸。本发明专利技术的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成半导体器件的方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中，每一代都比上一代具有更小且更复杂的电路。在IC演变工艺中，功能密度(即每个芯片区域互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。例如，已经开发了一些方法来形成具有低介电常数的栅极间隔件。然而，虽然形成低k介电栅极间隔件的常规方法通常是足够的，但它们不是在所有方面都已完全令人满意。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一器件，包括：第一栅极结构，形成在有源区域上方；以及第一空气间隔件，与所述第一栅极结构相邻设置；以及第二器件，包括：第二栅极结构，形成在隔离结构上方；以及第二空气间隔件，与所述第二栅极结构相邻设置；其中，所述第一空气间隔件和所述第二空气间隔件具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n第一器件，包括：/n第一栅极结构，形成在有源区域上方；以及/n第一空气间隔件，与所述第一栅极结构相邻设置；以及/n第二器件，包括：/n第二栅极结构，形成在所述隔离结构上方；以及/n第二空气间隔件，与所述第二栅极结构相邻设置；/n其中，所述第一空气间隔件和所述第二空气间隔件具有不同的尺寸。/n

【技术特征摘要】
20180926 US 62/736,565;20190726 US 16/523,4531.一种半导体器件，包括：
第一器件，包括：
第一栅极结构，形成在有源区域上方；以及
第一空气间隔件，与所述第一栅极结构相邻设置；以及
第二器件，包括：
第二栅极结构，形成在所述隔离结构上方；以及
第二空气间隔件，与所述第二栅极结构相邻设置；
其中，所述第一空气间隔件和所述第二空气间隔件具有不同的尺寸。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一空气间隔件具有比所述第二空气间隔件更大的垂直尺寸。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一空气间隔件具有比所述第二空气间隔件更大的横向尺寸。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一介电间隔件、第二介电间隔件、第三介电间隔件和第四介电间隔件，其中：
所述第一空气间隔件设置在所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件之间；以及
所述第二空气间隔件设置在所述第三介电间隔件和所述第四介电间隔件之间。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件具有不同的材料成分；以及
所述第三介电间隔件和所述第四介电间隔件具有不同的材料成分。


6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：设置在所述第二空气间隔件下方但不设置在所述第一空气间隔件下方的第五介电间隔件，其中，所述第五介电间隔件具有与所述第一介电间隔件、所述第二介电间隔件、所述第三介电间隔件或所述第四介电间隔件不同的材料成分。


7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第五介电间隔件含有一...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳依秀，杨丰诚，李宗霖，李威养，陈燕铭，陈彦廷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71