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本发明描述了形成具有两个或多个钛‑铝(TiAl)层的栅极堆叠件的方法，该两个或多个钛‑铝(TiAl)层具有不同Al浓度(例如，不同的Al/Ti比)的。例如，栅极结构可以包括具有第一Al/Ti比的第一TiAl层和具有第二Al/Ti比的第二Ti...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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