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公开一种横向双扩散晶体管的制造方法,包括:在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模,衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区;经由第一硬掩模的开口,在衬底中形成N型漂移区,N型漂移区与P型阱区隔开且与N型阱区邻接;在第一硬掩模和衬垫氧化层的表...该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。
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公开一种横向双扩散晶体管的制造方法,包括:在衬底表面依次沉积衬垫氧化层和第一硬掩模,衬底形成有彼此隔开的P型阱区和N型阱区;经由第一硬掩模的开口,在衬底中形成N型漂移区,N型漂移区与P型阱区隔开且与N型阱区邻接;在第一硬掩模和衬垫氧化层的表...