温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置的形成方法包括蚀刻半导体鳍片以形成凹槽；以及形成源极/漏极区域于凹槽之中，形成源极/漏极区域包括：在600℃至800℃的温度下外延成长第一半导体材料于凹槽之中，第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及在300℃至600℃的温度下顺应...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。