半导体形成装置制造方法及图纸

提供了半导体形成装置及半导体装置的形成方法。此处所述的系统与方法用于可变且动态控制可变开口遮罩单元，以定义、隔离、及/或遮罩掺质布植及/或热退火工艺的扩散区域，其可用于生产进阶半导体装置的晶圆制作中。可动态放置多个隔离材料平板，以定义多个隔离材料平板的边缘之间的可变遮罩开口的尺寸、位置、与形状。隔离材料平板可连接于联合的一对载具之间。载具耦接至可变装置遮罩单元的两侧上的一组平行轨道，并可沿着平行的轨道移动。

Semiconductor forming device

【技术实现步骤摘要】
半导体形成装置
本专利技术实施例关于半导体的形成方法以及动态控制露出的区域，以用于进行退火工艺及定义掺质布植于半导体基板中的位置。
技术介绍
半导体装置用于多种电子设备中，比如个人电脑、手机、数码相机、或其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为按序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导基板上，接着采用微影与蚀刻工艺图案化多种层状物，并结合掺质布植与热退火技术以形成电路构件与单元于半导体基板上。半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，以将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，需解决工艺与技术中额外产生的问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体形成装置，包括：多个轨道；多个载具，配置于轨道的对应轨道上，且载具的每一者经控制以沿着轨道的一者移动至特定位置；多个隔离平板，耦接至载具，并具有定义于隔离平板的边缘之间的开口；开口控制单元，以控制开口的所需尺寸；以及半导体晶圆支撑装置。本专利技术一实施例提供的半导体装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体形成装置，包括：/n多个轨道；/n多个载具，配置于所述多个轨道的对应轨道上，且所述多个载具的每一者经控制以沿着所述多个轨道的一者移动至一特定位置；/n多个隔离平板，耦接至所述多个载具，并具有定义于所述多个隔离平板的边缘之间的一开口；/n一开口控制单元，以控制该开口的所需尺寸；以及/n一半导体晶圆支撑装置。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 62/726,034;20190826 US 16/551,3281.一种半导体形成装置，包括：
多个轨道；
多个载具，配置于所述多个轨道的对应轨道上，且所述多个载具的每一者经控制以沿着所述多个轨道的一者移动至一特定位置；
多个隔离平板，耦接至所述多个载具，并具有定义于所述多个隔离平板的边缘之间的一开口；
一开口控制单元，以控制该开口的所需尺寸；以及
一半导体晶圆支撑装置。


2.如权利要求1所述的半导体形成装置，其中所述多个隔离平板的每一者越过协调的一对载具之间并由协调的一对载具支撑，且协调的一对载具耦接至该半导体形成装置的两侧上的所述多个轨道的一对轨道。


3.如权利要求2所述的半导体形成装置，其中第一组协调的一对载具支撑第一组所述隔离平板的位置，而第一组协调的一对载具耦接至该装置的两侧上的第一对所述轨道，且其中第二组协调的一对载具支撑第二组所述隔离平板的位置，而第二组协调的一对载具耦接至该装置的两侧上的第二对所述轨道，该装置两侧上的第二对所述轨道配置的方向垂直于该装置两侧上的第一对所述轨道。


4.如权利要求3所述的半导体形成装置，其中第一组所述隔离平板与第二组所述隔离平板隔有一第一距离，且该第一距离大于0。


5.一种半导体装置的形成方法，包括：
配置一半导体基板的一第一芯片区域至一第一位置中；
对准多个滑动板的边缘以设定一可调遮罩的一第一开口的尺寸；
使一第一离子束穿过该第一开口；
将该第一离子束的一第一杂质导入该第一芯片区域中的一第一区中的该半导体基板中；
对准所述多个滑动板的边缘以设定该可调遮罩的一第二开口的尺寸，且该第二开口的尺寸与该第一开口的尺寸不同；
使一第二离子束穿过该第二开口；以及
将该第二离子束的一第二杂质导入该第一芯片区域中的一第二区中的该半导体基板中。


6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄威瀚，谭伦光，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71