金属层的形成和原位蚀刻工艺制造技术

本发明专利技术实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明专利技术实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。

Formation of metal layer and in-situ etching process

【技术实现步骤摘要】
金属层的形成和原位蚀刻工艺
本专利技术实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。
技术介绍
半导体集成电路(IC)行业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。在IC的发展过程中，功能密度(例如，每一芯片面积上互连器件的数量)通常会增加，而几何尺寸(例如，可使用制造工艺产生的最小部件或线)却已减小。这种按比例缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底中形成开口；和在所述开口中沉积共形金属层，其中，所述沉积包括：执行一个或多个沉积循环，包括：将第一前体流入沉积室中；净化所述沉积室以去除至少一部分所述第一前体；将第二前体流入所述沉积室中以形成所述共形金属层的子层；和净化所述沉积室以去除至少一部分所述第二前体；以及执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，包括将第三前体流入所述沉积室中。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种制造半导体晶体管结构的方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：/n在衬底中形成开口；和/n在所述开口中沉积共形金属层，其中，所述沉积包括：/n执行一个或多个沉积循环，包括：/n将第一前体流入沉积室中；/n净化所述沉积室以去除至少一部分所述第一前体；/n将第二前体流入所述沉积室中以形成所述共形金属层的子层；和/n净化所述沉积室以去除至少一部分所述第二前体；以及/n执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，包括将第三前体流入所述沉积室中。/n

【技术特征摘要】
20180830 US 16/117,2341.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括：
在衬底中形成开口；和
在所述开口中沉积共形金属层，其中，所述沉积包括：
执行一个或多个沉积循环，包括：
将第一前体流入沉积室中；
净化所述沉积室以去除至少一部分所述第一前体；
将第二前体流入所述沉积室中以形成所述共形金属层的子层；和
净化所述沉积室以去除至少一部分所述第二前体；以及
执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，包括将第三前体流入所述沉积室中。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述执行一个或多个沉积循环包括重复所述沉积循环以沉积标称厚度的所述共形金属层。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述金属卤化物蚀刻工艺包括在所述一个或多个沉积循环中的每个循环之后执行所述金属卤化物蚀刻工艺。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述一个或多个沉积循环之后执行所述金属卤化物蚀刻工艺。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述金属卤化物蚀刻工...

【专利技术属性】
技术研发人员：林柏宇，周其雨，李显铭，杨怀德，王俊杰，白岳青，杨淇任，汤宗达，王宜婷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71