半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的形成方法。本发明专利技术提供的方法施加保护层于栅极堆叠的一部分上，接着移除保护层。沉积保护层之后，将等离子体前驱物分离成多个组成。接着采用中性自由基移除保护层。在一些实施例中，移除步骤亦形成保护性的副产物，其有助于保护下方的层状物免于在蚀刻工艺中损伤。

Forming method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及保护薄膜，以及在形成鳍状场效晶体管时保护三维结构免于表面损伤的方法。
技术介绍
半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，再采用光刻图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于半导体基板上。半导体产业持续缩小最小结构尺寸，使更多构件得以整合至给定面积中，以持续改良多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度。然而，随着最小结构尺寸缩小，需解决额外问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：自第一前驱物材料形成蚀刻等离子体；分离蚀刻等离子体的多个中性自由基；以及暴露栅极介电层上的保护层的表面至蚀刻等离子体的中性自由基与第二前驱物材料，以蚀刻保护层的表面的一部分，且第二前驱物材料不是等离子体。本专利技术一实施例提供的半导体装置的形成方法包括：沉积第一介电层于半导体鳍状物的通道区上；形成第一金属阻障层于第一介电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n自一第一前驱物材料形成一蚀刻等离子体；/n分离该蚀刻等离子体的多个中性自由基；以及/n暴露一栅极介电层上的一保护层的表面至该蚀刻等离子体的所述多个中性自由基与一第二前驱物材料，以蚀刻该保护层的表面的一部分，且该第二前驱物材料不是等离子体。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 16/050,9041.一种半导体装置的形成方法，包括：
自一第一前驱物材料形成一蚀刻等离子体；
分离该蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴铭家，曾主元，江欣哲，黄渊圣，梁春昇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71