制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及制造半导体器件的方法。一种方法包括：通过在衬底上沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层并蚀刻硬掩模层，来形成硬掩模图案；通过使用硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻多晶硅层来形成预多晶硅图案；氧化预多晶硅图案的侧表面，以形成多晶硅图案和氧化硅层；形成覆盖氧化硅层的侧面的隔墙图案；在支撑掩模层的顶表面上形成牺牲层，以覆盖氧化硅层和隔墙图案；蚀刻牺牲层和氧化硅层；通过使用多晶硅图案和隔墙图案作为蚀刻掩模蚀刻支撑掩模层来形成支撑掩模图案；以及通过使用支撑掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底来形成触发引脚。

Methods of manufacturing semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法相关申请的交叉引用于2018年07月30日在韩国知识产权局提交的标题为“MethodofManufacturingSemiconductorDevice”的韩国专利申请No.10-2018-0088539通过引用整体并入本文中。
实施例涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成度持续增加，其组件的设计规则已经减小。随着半导体器件的集成度进一步增加，精细图案的临界尺寸可能变得小于现有光刻工艺中的分辨率的阈值。
技术实现思路
实施例涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括：通过在衬底上依次沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层，并蚀刻所述硬掩模层，来形成硬掩模图案；通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述多晶硅层来形成多晶硅图案，并通过蚀刻所述支撑掩模层来形成预支撑掩模图案；通过蚀刻所述预支撑掩模图案来形成支撑掩模图案；在所述衬底的顶表面上形成中间掩模层，以覆盖所述支撑掩模图案的侧表面和所述多晶硅图案的侧表面；通过使用所述多晶硅图案作为蚀刻掩模各向异性地蚀刻所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n通过在衬底上依次沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层，并蚀刻所述硬掩模层，来形成硬掩模图案；/n通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述多晶硅层来形成多晶硅图案，并通过蚀刻所述支撑掩模层来形成预支撑掩模图案；/n通过蚀刻所述预支撑掩模图案来形成支撑掩模图案；/n在所述衬底的顶表面上形成中间掩模层，以覆盖所述支撑掩模图案的侧表面和所述多晶硅图案的侧表面；/n通过使用所述多晶硅图案作为蚀刻掩模各向异性地蚀刻所述中间掩模层来形成中间掩模图案；/n形成覆盖所述中间掩模图案的侧表面的隔墙图案；/n形成覆盖所述隔墙图案和所述多晶硅图案的牺牲层；/n通过蚀刻所述牺牲层...

【技术特征摘要】
20180730 KR 10-2018-00885391.一种制造半导体器件的方法，包括：
通过在衬底上依次沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层，并蚀刻所述硬掩模层，来形成硬掩模图案；
通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述多晶硅层来形成多晶硅图案，并通过蚀刻所述支撑掩模层来形成预支撑掩模图案；
通过蚀刻所述预支撑掩模图案来形成支撑掩模图案；
在所述衬底的顶表面上形成中间掩模层，以覆盖所述支撑掩模图案的侧表面和所述多晶硅图案的侧表面；
通过使用所述多晶硅图案作为蚀刻掩模各向异性地蚀刻所述中间掩模层来形成中间掩模图案；
形成覆盖所述中间掩模图案的侧表面的隔墙图案；
形成覆盖所述隔墙图案和所述多晶硅图案的牺牲层；
通过蚀刻所述牺牲层来形成牺牲图案并暴露所述多晶硅图案，并将所述牺牲图案和所述多晶硅图案一起蚀刻；
通过蚀刻去除所述中间掩模图案和所述牺牲图案；以及
通过使用所述支撑掩模图案和所述隔墙图案作为蚀刻掩模蚀刻所述衬底来形成触发引脚。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用所述硬掩模图案中的一个形成由三个触发引脚形成的触发引脚单元。


3.根据权利要求2所述的方法，其中：
所述触发引脚单元的三个触发引脚之中的中央触发引脚与所述触发引脚单元的左触发引脚和右触发引脚中的每一个间隔开相同的距离，
所述左触发引脚和所述右触发引脚具有相同的宽度，并且
所述左触发引脚和所述右触发引脚的宽度与所述中央触发引脚的宽度相同或不同。


4.根据权利要求2所述的方法，其中：
多个所述硬掩模图案对应于多个触发引脚单元，并且
所述硬掩模图案的宽度对应于所述触发引脚单元的中央触发引脚的宽度和从中央触发引脚到左触发引脚和右触发引脚的距离之和。


5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述支撑掩模图案的宽度对应于所述触发引脚单元的中央触发引脚的宽度。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑掩模层和所述中间掩模层由相对于所述衬底和所述多晶硅层具有蚀刻选择性的材料形成。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间掩模图案形成在所述衬底的顶表面、所述多晶硅图案的底表面和所述支撑掩模图案的侧表面上。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层形成为使得所述牺牲层的顶表面形成平面，并且由相对于所述隔墙图案和所述支撑掩模图案具有蚀刻选择性的材料形成。


9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑掩模层形成为其厚度大于所述多晶硅层的厚度。


10.一种制造半导体器件的方法，包括：
通过在衬底上依次沉积支撑掩模层、多晶硅层和硬掩模层，并蚀刻所述硬掩模层，来形成硬掩模图案；
通过使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述多晶硅层来形成预多晶硅图案；
氧化所述预多晶硅图案的相对侧表面，以形成多晶硅图案和氧化硅层；
形成覆盖所述氧化硅层的侧表面的隔墙图案；
在所述支撑掩模层的顶表面上形成牺牲层，以覆盖所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴成珉，张世明，金奉秀，朴济民，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR