用于形成光掩模的方法及半导体制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及用于形成光掩模的方法及半导体制造方法。根据本发明专利技术的一些实施例，一种用于形成光掩模的方法包括：接纳衬底，所述衬底具有形成于其上的第一层，其中在所述衬底上方放置暴露所述第一层的部分的经图案化第二层；透过所述经图案化第二层而移除所述第一层的所述经暴露部分以在所述第一层中形成多个开口；移除所述经图案化第二层；及利用蚀刻剂执行湿式蚀刻以移除所述第一层的部分以使所述多个开口变宽。所述蚀刻剂与所述第一层的顶部表面及所述多个开口的侧壁接触。所述多个开口中的每一者在所述湿式蚀刻的所述执行之前具有第一宽度且在所述湿式蚀刻的所述执行之后具有第二宽度。所述第二宽度大于所述第一宽度。

Method for forming photomask and semiconductor manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
用于形成光掩模的方法及半导体制造方法
本专利技术实施例涉及光掩模及其形成方法，尤指用于形成光掩模的方法及半导体制造方法。
技术介绍
半导体集成电路工业已在过去数十年中经历快速增长。半导体材料及设计上的技术进展已生产出不断变小且更复杂的电路。已使此些材料及设计进展为可能的，此乃因与处理及制造有关的技术也已经历技术进展。在半导体演进的过程中，每单位面积的经互连装置的数目已增加，此乃因可被可靠地形成的最小组件的大小已降低。半导体制作在很大程度上依赖于光刻工艺，其中使用给定频率的光来将所要图案转印到经历半导体处理的晶片上。为将图案转印到晶片上，通常使用光掩模(也称为掩模或倍缩光掩模)。光掩模准许及阻止以所要图案的光到达晶片的层(例如光致抗蚀剂(PR)层)上，所述层对曝光进行化学反应，从而移除PR的某些部分且留下其它部分。然后使用剩余PR来图案化下伏层。随着构件大小已降低，用于光刻中以图案化层的光波长也已降低，从而形成额外困难且需要技术进展，例如使用极紫外线(EUV)作为光源以及使用相移掩模。改良光掩模对于促进工业中的持续进展为重要的，特定来说此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成光掩模的方法，其包含：/n接受衬底，所述衬底包含形成于其上的第一层，其中在所述衬底上方放置暴露所述第一层的部分的经图案化第二层；/n透过所述经图案化第二层而移除所述第一层的所述经暴露部分以在所述第一层中形成多个开口；/n移除所述经图案化第二层；及/n利用蚀刻剂执行湿式蚀刻以移除所述第一层的部分，/n其中所述蚀刻剂与所述第一层的顶部表面及所述多个开口的侧壁接触，所述多个开口中的每一者在所述湿式蚀刻的所述执行之前具有第一宽度且在所述湿式蚀刻的所述执行之后具有第二宽度，且所述第二宽度大于所述第二宽度。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,464;20181206 US 16/211,8271.一种用于形成光掩模的方法，其包含：
接受衬底，所述衬底包含形成于其上的第一层，其中在所述衬底上方放置暴露所述第一层的部分的经图案化第二层；
透过所述经图案化第二层而移除所述第一层的所述经暴露部分以在所述第一层中形成多个开口；
移除所述经图案化第二层；及
利用蚀刻剂执行湿式蚀刻以移除所述第一层的部分，
其中所述蚀刻剂与所述第一层的顶部表面及所述多个开口的侧壁接触，所述多个开口中的每一者在所述湿式蚀刻的所述执行之前具有第一宽度且在所述湿式蚀刻的所述执行之后具有第二宽度，且所述第二宽度大于所述第二宽度。


2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述湿式蚀刻的所述执行期间监测所述蚀刻剂的导电率，且当所述蚀刻剂的所述导电率在范围之外时，结束所述湿式蚀刻。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层在所述湿式蚀刻的所述执行之前包括第一厚度、在所述湿式蚀刻的所述执行之后包括第二厚度且包括所述第一厚度与所述第二厚度之间的厚度差，所述多个开口具有所述第一宽度与所述第二宽度之间的宽度差，且所述厚度差小于所述宽度差。


4.一种用于形成光掩模的方法，其包含：
接受衬底，所述衬底具...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄崇洋，张浩铭，李明哲，许有心，赖伯政，李冠贤，林维信，林诣轩，施旺成，林政旻，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71