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本发明实施例涉及用于形成光掩模的方法及半导体制造方法。根据本发明的一些实施例，一种用于形成光掩模的方法包括：接纳衬底，所述衬底具有形成于其上的第一层，其中在所述衬底上方放置暴露所述第一层的部分的经图案化第二层；透过所述经图案化第二层而移除所...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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