【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
在制作大尺寸的有机发光二极管(英文：OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)显示基板时，一般会在显示基板中设置补偿阴极图形，并将该补偿阴极图形与OLED显示基板中的阴极耦接，以降低所述阴极的电阻。显示基板中还包括用于输出驱动信号的晶体管，而该晶体管输出电极的正下方一般设置有遮光层和导电功能图形，使得在垂直于显示基板的基底的方向上，所述输出电极背向基底的表面的高度高于所述补偿阴极图形背向基底的表面的高度。上述OLED显示基板还包括覆盖在所述输出电极和所述补偿阴极图形上的平坦层，而由于显示基板的结构需要，要在所述平坦层上制作两个过孔，其中一个过孔用于将所述输出电极暴露，另一个过孔用于将所述补偿阴极图形暴露，以便于后续所述输出电极与显示基板中阳极图形的连接，以及所述补偿阴极图形与所述阴极的耦接。但是由于所述输出电极背向基底的表面的高度高于所述补偿阴极图形背向基底的表面的...
【技术保护点】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在基底上制作薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管，以及补偿阴极图形；/n在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层；/n通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域在所述基底上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极在所述基底上的正投影的内部，所述光刻胶完全去除区域在所述基底上的正投影位于所述补偿阴极图形在所述基底上的正投影内部，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层中，除所述光刻胶半保留区域...
【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上制作薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管，以及补偿阴极图形；
在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层；
通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，所述光刻胶半保留区域在所述基底上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极在所述基底上的正投影的内部，所述光刻胶完全去除区域在所述基底上的正投影位于所述补偿阴极图形在所述基底上的正投影内部，所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层中，除所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域之外的其它区域；
同时对位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶，与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层，以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀，在相同的刻蚀时间内，形成能够将所述输出电极背向所述基底的表面至少部分暴露的第一过孔，以及能够将所述补偿阴极图形背向所述基底的表面至少部分暴露的第二过孔。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：
采用第一平坦材料形成所述平坦层；
采用第一光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第一速率与所述光刻胶层被刻蚀的第二速率之间的差值小于或等于第一阈值；
通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：
通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上，所述第一部分光刻胶背向所述基底的表面，与所述输出电极被所述第一过孔暴露的部分背向所述基底的表面之间具有第一距离，所述第二部分平坦层背向所述基底的表面与所述补偿阴极图形背向所述基底的表面具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离之间的差值小于或等于第二阈值。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层的步骤具体包括：
采用第二平坦材料形成所述平坦层；
采用第二光刻胶材料形成所述光刻胶层，在相同的刻蚀条件下，所述平坦层被刻蚀的第三速率大于所述光刻胶层被刻蚀的第四速率；
通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光的步骤具体包括：
通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域，在垂直于所述基底方向上...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋威，赵策，王明，丁远奎，刘宁，刘军，李伟，王庆贺，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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