半导体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。本实用新型专利技术能够改善自对准图形的图形质量，提高半导体生产良率。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。
技术介绍
半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进。随着半导体技术的不断进步，器件的功能不断强大，半导体制造难度也与日俱增。光刻技术是半导体制造工艺中最为关键的生产技术，随着半导体工艺节点的不断减小，现有的光刻技术已经无法满足半导体制造的需求。双重图形化(DP：Double-Patterning)技术甚至多重图形化技术成为了业界的最佳选择之一，双重图形化技术只需要对现有的光刻基础设施进行很小的改动，就可以有效地填补更小节点的光刻技术空白，改进相邻半导体图形之间的最小间距(pitch)。双重图形化技术的原理是将一套高密度的图形分解成两套分立的、密度低一些的图形，然后将它们制备到晶圆上。现有技术的双重图形化技术主要有：自对准双重图形化(SADP：Self-AlignedDouble-Patterning)、二次光刻和刻蚀工艺(LELE：Litho-Eth-Litho-Eth)。然而，现有技术形成的半导体结构的性能仍有待提高。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；/n位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；/n位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；
位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；
位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层还位于所述侧墙层与所述基底之间。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙层还与所述基底部分表面相接触。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5埃～20埃。


5.如权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：董鹏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34