The invention discloses a method, making a non photosensitive polyimide passivation layer comprises the steps of: providing a substrate; the substrate surface through oxygen plasma treatment; or the growth of a layer of silicon dioxide layer or silicon oxynitride layer on the substrate surface; on the surface of a substrate coated with a layer of non photosensitive polyimide the two section type; soft baking of non photosensitive polyimide photoresist coating and drying; soft; exposure; development; removal of photoresist in photoresist stripping process; curing of non photosensitive polyimide. The invention can eliminate the lifting problem of the non photosensitive polyimide, improve the production efficiency and reduce the risk of metal corrosion to the developing liquid in the developing process.
【技术实现步骤摘要】
非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法。
技术介绍
聚酰亚胺因其具有优异的耐热性、抗化学腐蚀性、电绝缘性及力学机械性能,被广泛地应用于微电子器件中的芯片保护钝化膜,以减少各种自然环境和工作环境对半导体器件造成的影响,提高芯片的成品率,增强器件的可靠性和稳定性,随着高压器件耐压性能的提高,其对非感光性聚酰亚胺的厚度也是要求越来越高。如图1所示,是现有非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法中非感光性聚酰亚胺显影后的示意图。现有非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法包括如下步骤为:提供需要制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片101。在基片101上旋涂超厚非感光性聚酰亚胺102。该非感光性聚酰亚胺102的厚度要根据高压器件耐压性能进行设置,高压器件耐压性能越高,非感光性聚酰亚胺102的厚度也要求越高。进行一步较高温度、时间较长的软烘。该软烘的温度和时间要求能够将非感光性聚酰亚胺102中的溶剂大部分挥发,避免溶剂过多时造成后续显影过程中形成掀起(Peeling)问题。。进行光刻胶103的涂布、软烘。进行曝光。进行曝光后烘烤(PEB)。显影,形成所需要的光刻胶103和非感光性聚酰亚胺102图形。用光刻胶剥离工艺去除光刻胶103。对非感光性聚酰亚胺102进行固化形成非感光性聚酰亚胺钝化层。由上可知,现有方法中,非感光性聚酰亚胺102的厚度增加时,非感光性聚酰亚胺102中所含的溶剂也增加,现有方法必须要增加非感光性聚酰亚胺102的软烘温度和时间来将大部分溶剂挥发掉,从而避免后续显影中出现掀起问题。如当 ...
【技术保护点】
一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一需要在表面制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片;所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕,所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述顶层金属连线上方并作为所述半导体器件的钝化层;或者,所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕、且在所述顶层金属连线上形成有介质层钝化层,所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述介质层钝化层上方并和所述介质层钝化层一起作为所述半导体器件的钝化层;步骤二、对所述基片表面进行等离子体处理,在所述等离子体处理过程中通入氧气,用以增加后续形成的非感光性聚酰亚胺和所述基片之间的粘附力;或者在所述基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层,并采用光刻刻蚀工艺对所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层进行处理形成图形结构,刻蚀后所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层仅位于需要形成所述非感光性聚酰亚胺钝化层的区域,用以增加后续形成的非感光性聚酰亚胺和所述基片之间的粘附力;步骤三、在所述基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺;所述非感光性聚酰亚胺的厚度要满足形成于所述基片中的 ...
【技术特征摘要】
1.一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、提供一需要在表面制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片;所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕,所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述顶层金属连线上方并作为所述半导体器件的钝化层;或者,所述基片中形成有半导体器件且所述半导体器件的顶层金属连线已经制作完毕、且在所述顶层金属连线上形成有介质层钝化层,所述非感光性聚酰亚胺钝化层用于形成在所述介质层钝化层上方并和所述介质层钝化层一起作为所述半导体器件的钝化层;步骤二、对所述基片表面进行等离子体处理,在所述等离子体处理过程中通入氧气,用以增加后续形成的非感光性聚酰亚胺和所述基片之间的粘附力;或者在所述基片表面生长一层二氧化硅层或氮氧化硅层,并采用光刻刻蚀工艺对所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层进行处理形成图形结构,刻蚀后所述二氧化硅层或所述氮氧化硅层仅位于需要形成所述非感光性聚酰亚胺钝化层的区域,用以增加后续形成的非感光性聚酰亚胺和所述基片之间的粘附力;步骤三、在所述基片表面上旋涂一层非感光性聚酰亚胺;所述非感光性聚酰亚胺的厚度要满足形成于所述基片中的半导体器件的耐压需要,所述基片中的半导体器件的耐压性能越高,非感光性聚酰亚胺的厚度也要求越高;步骤四、采用两段式软烘法对所述非感光性聚酰亚胺进行软烘,所述两段式软烘法包括主烘和辅烘,所述辅烘的温度高于所述主烘的温度;所述主烘的温度不高于110℃、时间不少于2分钟,所述辅烘的温度不高于130℃、时间不高于5分钟;温度较高的所述辅烘时间的设置用于降低高温烘烤时间,提高所述非感光性聚酰亚胺的显影速率;步骤五、在所述非感光性聚酰亚胺的表面上涂布光刻胶,对所述光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:程晋广,郭晓波,童宇锋,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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