密封组合物以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种密封组合物以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
一直以来，在电子器件领域等各种
中，进行在部件上赋予含有聚合物的组合物。例如，已知有如下技术：在半导体装置的层间绝缘层上赋予含有具有2个以上阳离子性官能团的重均分子量为2000～100000的聚合物的半导体用组合物的技术(例如，参照专利文献1)。此外，例如，还已知有如下技术：通过在半导体基板的表面的至少一部分赋予含有具有阳离子性官能团的重均分子量为2000～600000的树脂的半导体用密封组合物，从而形成半导体用密封层，将半导体基板的形成有半导体用密封层的面用25℃时的pH为6以下的冲洗液洗涤的技术(例如，参照专利文献2)。进而，例如，还记载有如下技术：在半导体基板的至少凹部的底面和侧面赋予含有具有阳离子性官能团的重均分子量为2000～1000000的聚合物的半导体用密封组合物，至少在凹部的底面和侧面形成半导体用密封层，将半导体基板的形成有半导体用密封层一侧的面在温度200℃以上425℃以下的条件下进行热处理，从而将形成于配线的露出面上的半导体用密封层的至少一部分除去的技术(例如，参照专利文献3)。现有技术文献本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.08 JP 2014-1624331.一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。2.一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。3.根据权利要求1或2所述的密封组合物，其还含有一元羧酸化合物。4.根据权利要求1～3中任一项所述的密封组合物，其以元素基准计，钠和钾的含量分别为10质量ppb以下。5.一种半导体装置的制造方法，其具有：密封组合物赋予工序，在半导体基板的至少下述凹部的底面和侧面赋予权利要求1所述的密封组合物，所述半导体基板具有设有凹部的层间绝缘层和含有铜的配线，该配线的表面的至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出，以及洗涤工序，在所述密封组合物赋予工序之后，用含有0.3毫摩尔/升～230毫摩尔...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅场靖刚，田中博文，小野升子，井上浩二，和知浩子，铃木常司，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP