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本实用新型涉及一种半导体结构，包括：基底以及位于所述基底上的若干分立的牺牲层；位于所述牺牲层侧壁表面的缓冲层，所述缓冲层的材料含有有机基团以及无机成分；位于所述缓冲层表面的侧墙层，且所述缓冲层位于所述侧墙层与所述牺牲层之间。本实用新型能够改...
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