一种功率器件加工方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率器件加工方法，包括：在衬底设置硬掩模，并在所述硬掩模光刻出刻蚀窗口；通过所述刻蚀窗口对所述衬底进行沟槽刻蚀，保留所述硬掩模；对所述硬掩模进行横向刻蚀，用于形成离子注入窗口；进行N+离子注入工艺，对应所述硬掩模被刻蚀区域形成N型导电层，刻蚀形成的离子注入窗口，降低了N+工艺光刻的技术难度，硬掩模对N+离子注入进行自对准阻挡，从而解决N+离子注入对偏问题，保证功率器件的电性及动态参数的稳定。

A processing method of power devices

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件加工方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种功率器件加工方法。
技术介绍
在功率器件IGBT或MOSFET的制程工艺中，都会有N+注入来形成Emitter发射极(或Source源极)。随着芯片技术的不断发展，芯片的结构变得越来越小，对光刻线宽和对准技术的要求也越来越高。N+结构的线宽非常小，容易出现光刻对偏，造成N+离子注入对偏，N+离子注入对偏会对器件的电性和动态参数都产生极大的影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种功率器件加工方法，其能够解决在功率器件加工过程中N+离子注入对偏问题。本专利技术的实施例是这样实现的：一种功率器件加工方法，包括：在衬底设置硬掩模，并在所述硬掩模光刻出刻蚀窗口；通过所述刻蚀窗口对所述衬底进行沟槽刻蚀，保留所述硬掩模；对所述硬掩模进行横向刻蚀，用于形成离子注入窗口；进行N+离子注入工艺，对应所述硬掩模被刻蚀区域形成N型导电层。进一步的，在本专利技术的一种实施例中，上述衬底生长氧化层并致密化，致密化的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件加工方法，其特征在于，包括：/n在衬底(1)设置硬掩模(2)，并在所述硬掩模(2)光刻出刻蚀窗口(3)；/n通过所述刻蚀窗口(3)对所述衬底(1)进行沟槽(4)刻蚀，保留所述硬掩模(2)；/n对所述硬掩模(2)进行横向刻蚀，从而形成离子注入窗口(5)；/n进行N+离子注入工艺，对应所述硬掩模(2)被刻蚀区域形成N型导电层(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率器件加工方法，其特征在于，包括：
在衬底(1)设置硬掩模(2)，并在所述硬掩模(2)光刻出刻蚀窗口(3)；
通过所述刻蚀窗口(3)对所述衬底(1)进行沟槽(4)刻蚀，保留所述硬掩模(2)；
对所述硬掩模(2)进行横向刻蚀，从而形成离子注入窗口(5)；
进行N+离子注入工艺，对应所述硬掩模(2)被刻蚀区域形成N型导电层(6)。


2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述衬底(1)生长氧化层并致密化，致密化的氧化层作为所述硬掩模(2)。


3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述对所述硬掩模(2)进行横向刻蚀，包括先在所述硬掩模(2)表面生长牺牲氧化层。


4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺对所述硬掩模(2)进行横向...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭依腾，史波，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44