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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率器件加工方法，包括：在衬底设置硬掩模，并在所述硬掩模光刻出刻蚀窗口；通过所述刻蚀窗口对所述衬底进行沟槽刻蚀，保留所述硬掩模；对所述硬掩模进行横向刻蚀，用于形成离子注入窗口；进行N+离子注入工艺...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

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