硅基衬底的加工方法技术

本发明专利技术提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明专利技术实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝化层，可以有效保护硅片。而且，氢钝化层的脱附温度相对较低，从而有效降低避免了硅片高温脱附钝化层而导致硅片弯折损伤和引入杂质的问题，而且，在选择硅片时，优化硅片筛选标准，从而有效降低了硅基衬底的平整度，提高了硅基衬底的加工质量，方便大面阵器件的加工。

Processing method of silicon substrate

【技术实现步骤摘要】
硅基衬底的加工方法
本专利技术涉及芯片加工
，尤其涉及一种硅基衬底的加工方法。
技术介绍
高质量的碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料是制备高性能碲镉汞红外焦平面探测器的基础，传统HgCdTe薄膜主要以碲锌镉(CdZnTe)单晶材料为衬底，采用液相外延(LPE)或分子束外延(MBE)等方法进行HgCdTe薄膜材料的制备。随着第三代HgCdTe红外焦平面技术向着大规模、高性能、双多色方向发展，传统CdZnTe基HgCdTe材料由于CdZnTe体晶生长困难，难以获得大面积晶体材料。CdZnTe衬底机械强度较低、晶体均匀性较差、衬底杂质多、价格昂贵等缺点日益显现，逐渐成为制约HgCdTe红外探测技术发展的瓶颈。与传统的CdZnTe相比，Si基HgCdTe薄膜具有以下几个优点：更大的可用面积；更低的材料成本；与Si读出电路的热应力自动匹配；较高的机械强度和平整度；更高的热导率。Si基衬底与Si读出电路天然热匹配可以有效解决大面积衬底的获得和探测器芯片高低温冲击可靠性问题，但是分子束外延方法外延Si基HgCdTe材料存在一个较大的困难，由于Si材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基衬底的加工方法，其特征在于，包括：/n获取硅片；/n对所述硅片进行化学处理，以在所述硅片表面形成氢钝化层；/n对所述硅片进行脱附工艺处理，以去除所述氢钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基衬底的加工方法，其特征在于，包括：
获取硅片；
对所述硅片进行化学处理，以在所述硅片表面形成氢钝化层；
对所述硅片进行脱附工艺处理，以去除所述氢钝化层。


2.根据权利要求1所述的硅基衬底的加工方法，其特征在于，所述硅片的厚度大于等于500微米。


3.根据权利要求1所述的硅基衬底的加工方法，其特征在于，所述硅片的弯曲度小于等于10微米。


4.根据权利要求1所述的硅基衬底的加工方法，其特征在于，所述硅片的翘曲度小于等于10微米。


5.根据权利要求1所述的硅基衬底的加工方法，其特征在于，所述对所述硅片进行化学处理，以在所述硅片表面形成氢钝化层，包括：
对所述硅片进行脱脂处理，并采用第一冲洗液冲洗；
采用第一配方溶液对所述硅片进行处理，并采用第二冲洗液冲洗；
采用第二配方溶液对所述硅片进行处理，并采用第二冲洗液冲洗；
采用第三配方溶液对所述硅片进行处理，并采用第二冲洗液冲洗；
采用第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丛，高达，王经纬，刘铭，刘兴新，于小兵，周立庆，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11