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本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝化层，可以有效保护硅...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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