【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和方法
本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及基板处理装置和方法，更具体地，涉及用于从基板剥离多余的光致抗蚀剂(PR)的装置和方法。
技术介绍
通常，在制造平板显示器件或半导体器件的过程中，执行诸如光致抗蚀剂涂覆工艺、显影工艺、蚀刻工艺、灰化工艺等各种工艺以处理玻璃基板或晶片。特别地，在半导体光刻工艺中，对基板依次进行旋涂工艺、软烘焙工艺、对准和曝光工艺、显影工艺、清洁和干燥工艺、硬烘焙工艺、蚀刻工艺、光致抗蚀剂剥离工艺等。在光刻工艺中，通过使用光致抗蚀剂作为掩蔽膜来执行曝光、显影和蚀刻工艺，并且在完全用作掩蔽膜之后光致抗蚀剂被去除，因为不再需要光致抗蚀剂。通过剥离工艺执行光致抗蚀剂的去除。在剥离工艺中，通过使用SPM溶液(H2SO4+H2O2)或DSP溶液(H2SO4+HF+H2O2)去除光致抗蚀剂，所述溶液是在高温下使用的化学溶液，如硫酸或磷酸。然而，现有的剥离工艺具有以下问题。例如，在SPM溶液的情况下，硫酸和过氧化氢一起反应生成的中间产物H2SO5具有高反应性并产生水而稀释...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，所述方法包括：/n制备含有臭氧气体的臭氧处理流体的混合步骤；和/n使用所述臭氧处理流体处理所述基板的表面的基板处理步骤，/n其中，在所述基板处理步骤中，通过灯将光照射至所述基板。/n
【技术特征摘要】
20180829 KR 10-2018-01022971.一种基板处理方法，所述方法包括：
制备含有臭氧气体的臭氧处理流体的混合步骤；和
使用所述臭氧处理流体处理所述基板的表面的基板处理步骤，
其中，在所述基板处理步骤中，通过灯将光照射至所述基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述臭氧处理流体是臭氧水，在所述臭氧水中，所述臭氧气体溶解在去离子水中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述混合步骤中，将氮气和二氧化碳中的至少一种与所述臭氧水混合。
4.根据权利要求2所述的方法，其中在所述基板处理步骤中，将紫外光照射至所述基板。
5.根据权利要求2所述的方法，其中在所述基板处理步骤中，将红外光照射至所述基板。
6.根据权利要求2所述的方法，其中在所述基板处理步骤中，将紫外光和红外光同时照射至所述基板。
7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述基板处理步骤中，在所述基板的背侧提供热源，或者将高于室温的高温去离子水分配到所述基板的背侧上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在所述基板处理步骤中，喷嘴在摆动的同时将所述臭氧处理流体分配到旋转的基板上。
9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述基板处理步骤中，将所述灯的光照射至所述基板的其上分配所述臭氧处理流体的区域。
10.根据权利要求8所述的方法，其中在所述混合步骤中在所述喷嘴中制备臭氧处理流体之后，将所述臭氧处理流体分配到所述基板上。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述臭氧处理流体去除所述基板的所述表面上的光致抗蚀剂膜或有机残留物。
12.一种基板处理装置，所述装置包括：
腔室；
基板支撑单元，所述基板放置在所述基板支撑单元上，所述基板支撑单元设置在所述腔室中；
臭氧气体供应单元，所述臭氧气体供应单元被配置为供应臭氧气体；
分配喷嘴，所述分配喷嘴被配置成将包含从所述臭氧气体供应单元供应的所述臭氧气体的臭氧处理流体分配到所述基板上；和
灯单元，所述灯单元被配置为将光照射至所述基板。
13.根据权利要求12所述的装置，还包括：
去离子水供应单元，所述去离子水供应单元被配置为将去离子水供应至所述分配喷嘴。
14.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：权五镇，刘宗玟，秋永浩，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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