光刻胶剥离方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶剥离方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成消耗层，消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于消耗层中；步骤二、在消耗层表面涂布光刻胶；步骤三、对光刻胶进行曝光显影；步骤四、以光刻胶的图形结构为掩膜完全器件工艺；步骤五、进行去胶工艺，去胶工艺包括去胶过处理，去胶过处理对光刻胶底部的影响完全位于消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；步骤六、去除所述消耗层。本发明专利技术能消除去胶过处理对半导体衬底产生不利影响，提高器件工艺的均一性，在离子注入工艺中，能提高晶圆面内有源区膜质的均一性。

Stripping method of photoresist

【技术实现步骤摘要】
光刻胶剥离方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种光刻胶剥离方法。
技术介绍
如图1A至图1B所示，是现有光刻胶剥离方法各步骤中的器件结构示意图，现有光刻胶剥离方法包括如下步骤：步骤一、如图1A所示，提供半导体衬底101。所述半导体衬底101包括硅衬底。所述半导体衬底101上用于形成半导体器件，所述半导体器件为PMOS或NMOS。所述半导体衬底101上形成有栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙105。所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层102和多晶硅栅103。所述侧墙105的材料包括氧化层或氮化层。图1A中，所述侧墙105由氧化层侧墙105a和氮化层侧墙105b叠加而成。图1A中，在所述栅极结构的多晶硅栅103的顶部还包括硬质掩模层104。在所述半导体衬底101表面涂布所述光刻胶106。步骤二、对所述光刻胶106进行曝光显影形成所述光刻胶106的图形结构。步骤三、以所述光刻胶106的图形结构为掩膜在所述半导体衬底101上完全器件工艺。所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成消耗层，所述消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于所述消耗层中；/n步骤二、在所述消耗层表面涂布所述光刻胶；/n步骤三、对所述光刻胶进行曝光显影形成所述光刻胶的图形结构；/n步骤四、以所述光刻胶的图形结构为掩膜在所述半导体衬底上完全器件工艺；/n步骤五、进行去胶工艺将所述光刻胶剥离，所述去胶工艺包括去胶过处理，以使所述光刻胶完全剥离，所述去胶过处理对所述光刻胶底部的影响完全位于所述消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；/n步骤六、去除所述消耗层...

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成消耗层，所述消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于所述消耗层中；
步骤二、在所述消耗层表面涂布所述光刻胶；
步骤三、对所述光刻胶进行曝光显影形成所述光刻胶的图形结构；
步骤四、以所述光刻胶的图形结构为掩膜在所述半导体衬底上完全器件工艺；
步骤五、进行去胶工艺将所述光刻胶剥离，所述去胶工艺包括去胶过处理，以使所述光刻胶完全剥离，所述去胶过处理对所述光刻胶底部的影响完全位于所述消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；
步骤六、去除所述消耗层。


2.如权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。


3.如权利要求2所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述消耗层的材料包括氧化层或氮化层。


4.如权利要求3所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述消耗层的厚度为


5.如权利要求2所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：步骤四中所述器件工艺包括离子注入工艺。


6.如权利要求5所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述离子注入工艺为半导体器件的源漏注入工艺并用于形成源区和漏区。


7.如权利要求6所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述半导体器件为PMOS或NMOS。


8.如权利要求7所述的光刻胶剥离方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥国，陆连，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31