【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路，尤其是涉及一种半导体器件版图及设计方法。
技术介绍
1、电压降(ir drop)是集成电路中由于金属互连线的电阻和电流导致的电源电压下降现象，可能对电路性能和可靠性产生很大影响。ir drop是关联芯片是否拥有正常的性能与功能的一大要素，在数字后端存在较多可能影响ir drop的方面，例如半导体器件核心模块周围的电源和供电电源线的排布。
2、现有技术的半导体器件的版图中，核心模块供电方式通常为使用多条并行的顶层金属线，将电源或地接入核心模块。核心模块包括若干个时钟单元和逻辑单元，部分实施例中，逻辑单元紧邻设置在时钟单元周围。
3、然而，现有技术的半导体器件的版图造成电阻偏高进而产生ir drop偏大的问题。对芯片的ir drop准确评估需要在版图完成之后进行，此时若评估结果不符合标准，轻则需修改半导体器件版图，重则需重新布局，在造成大量时间成本损耗的同时，甚至会影响项目交付时间。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件...
【技术保护点】
1.一种半导体器件版图设计方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，所述自动布局布线工具包括Innovus。
3.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，每条所述电源金属线和接地金属线通过接触孔连接至所述核心模块的不同底层金属中的连接端口。
4.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，每相邻两条金属线之间的距离相同。
5.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，每条所述电源金属线和接地金属线在所述第二方向上的宽度相同。
6.如...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件版图设计方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，所述自动布局布线工具包括innovus。
3.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，每条所述电源金属线和接地金属线通过接触孔连接至所述核心模块的不同底层金属中的连接端口。
4.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，每相邻两条金属线之间的距离相同。
5.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，每条所述电源金属线和接地金属线在所述第二方向上的宽度相同。
6.如权利要求1所述的半导体器件版图设计方法，其特征在于，多条电源金属线和多条接地金属线...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凌毅，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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