【技术实现步骤摘要】
一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法及其应用
本专利技术涉及半导体制造
,具体涉及一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法及其应用。
技术介绍
芯片在研发的过程中,除了电路设计之外,实际还需要通过晶圆流片去制作实体晶圆,后面再经过切割、封装制备芯片之后完成最后的功能测试和验证。一般来说,新技术应用的开发工作会有数个阶段,在前期会花上数次的晶圆流片去验证芯片和完善功能。这个阶段是纯粹的投入,流片的晶圆数量不多,但还是需要制备完整的一套光罩,光罩的费用是这种新产品晶圆流片成本中大的占比,而后期又不会在量产中使用,造成了一定的资源的浪费。而众所周知,浮栅型闪存工艺通常是用来制作NORflash芯片的工艺技术,这是一种很常见的芯片,是用来做小容量数据的存储和程序代码的存储。而本申请人基于NOR闪存架构开发了国内第一款的存算一体芯片,则是使用NORflash架构来进行数据的矩阵计算与处理,这是一种现有技术的全新应用,所以需要进行新技术的研发验证,而这些在前期是投入阶段不会有产出。现有技术的一种做法 ...
【技术保护点】
1.一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法,其特征在于,包括:/n采集闪存流片中现有光罩组的各光罩参数,并按照参数进行分类,所述参数包括光罩标识号、光罩类型、封膜类型、光罩等级、图形明暗、图形种类;/n按照光罩类型、封膜类型、图形明暗、图形种类参数一致性对现有光罩组中的各光罩执行合并操作,形成新光罩组,并依次进行光罩制备;/n使用制备好的光罩执行包括曝光、显影、光刻在内的后续流片工艺。/n
【技术特征摘要】
1.一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法,其特征在于,包括:
采集闪存流片中现有光罩组的各光罩参数,并按照参数进行分类,所述参数包括光罩标识号、光罩类型、封膜类型、光罩等级、图形明暗、图形种类;
按照光罩类型、封膜类型、图形明暗、图形种类参数一致性对现有光罩组中的各光罩执行合并操作,形成新光罩组,并依次进行光罩制备;
使用制备好的光罩执行包括曝光、显影、光刻在内的后续流片工艺。
2.根据权利要求1所述的一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法,其特征在于,合并后的光罩等级不低于合并前的各光罩等级中的最高等级。
3.根据权利要求1所述的一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法,其特征在于,所述现有光罩组中光罩张数为28张,所述新光罩组中光罩张数为11张。
4.根据权利要求1所述的一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法,其特征在于,每次进行合并的光罩张数不超过4张。
5.根据权利要求1所述的一种减少闪存流片中使用的光罩数量的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:任军,徐培,吕向东,李政达,
申请(专利权)人:合肥恒烁半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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