半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在一种半导体装置的制造方法中，具有开口的第一层在基板上形成。第二层形成于第一层与基板上方。光阻图案形成于第一层开口上的第二层的上方；以热处理制程回焊光阻图案；执行回蚀操作以平坦化第二层。

Manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本揭露涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
随着半导体工业发展到纳米技术工艺世代以追求更高的装置密度、更高的性能和更低的成本，制造和设计论点的挑战变得更大。微影操作(lithographyoperation)是半导体制造过程中的关键操作之一。在微影操作时，因为紧密的焦点界线(focusmargin)，所以底层结构的平整度或不均匀性是关键。因此，平坦化不均匀的底层结构是有必要的。
技术实现思路
本揭露的一实施方式提供一种半导体装置的制造方法，方法包含：形成具有开口的第一层于基板上方；形成第二层于第一层与基板上方；形成光阻图案于第一层的开口上的第二层的上方；以热处理制程回焊光阻图案；以及实施回蚀操作使第二层平坦化。附图说明当结合附图阅读以下详细描述时，本揭露的各种态样将最易于理解。应注意的是，根据行业标准操作规程，各种特征结构可能并非按比例绘制。事实上，为了论述的清晰性，可以任意地增大或减小各种特征结构的尺寸。图1显示根据本揭露的一实施方式的依序形成一半导体装置的制造方法的各本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包含：/n形成具有一开口的一第一层于一基板上方；/n形成一第二层于该第一层与该基板上方；/n形成一光阻图案于该第一层的该开口上的该第二层的上方；/n以一热处理制程回焊该光阻图案；以及/n实施一回蚀操作使该第二层平坦化。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 62/726,085;20190530 US 16/427,2991.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：鍾政哲，蔡伊甄，郭景森，黄才铭，陈界璋，许峰嘉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71