半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。

Manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开是关于一种半导体装置的制造方法，且特别涉及其中的中间层的制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)产业历经了快速的成长。IC材料和设计上的技术改良已产生许多IC世代，而每一世代比起前一世代又具有更小以及更复杂的电路。然而，这些进展增加了处理以及制造IC时的复杂度。为了使这些进展得以实现，也需要在IC处理与制造领域中有相似的发展。在IC的演进过程中，功能密度(即每单位芯片面积具有的内连接装置数目)逐渐增长，而几何大小(即以一个制程可生成的最小组件或配线)逐渐减小。随着光刻组件的尺寸逐渐缩小，将需要更高的数值孔径(numericalaperture)制程以克服分辨率的限制。具有形成在中间层和底层上的光敏顶层的光刻三层结构已被用于改善与光刻图案化制程相关的问题。虽然三层结构通常已可有效地改良图案化制程，但它们并非完全令人满意。例如，因光敏顶层的厚度所产生的非均匀光吸收，可能导致在显影过程后产生非预期的图案轮廓。因此，仍需要改良在使用三层结构时的图案轮廓控制。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括:/n提供一基板；/n形成一底层在该基板上；/n形成一中间层在该底层上，其中该中间层的一上表面包含一光敏单元，该光敏单元具有一锚定在该中间层中的第一端以及一远离该中间层的该上表面而延伸的第二端；/n形成一光刻胶层在该中间层上；/n将该光刻胶层在一辐射源中曝光；以及/n显影该光刻胶层以形成一图案。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 16/119,8801.一种半导体装置的制造方法，包括:
提供一基板；
形成一底层在该基板上；
形成一中间层在该底层上，其中该中间层的一上表面包含一光敏单元，该光敏单元具有一锚定在该中间层中的第一端以及一远离该中间层的该上表面而延伸的第二端；
形成一光刻胶层在该中间层上；
将该光刻胶层在一辐射源中曝光；以及
显影该光刻胶层以形成一图案。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该光敏单元包含一光酸产生剂、一光碱产生剂、一光分解淬灭剂、或一光分解碱。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中该中间层包含一硅基聚合物，该硅基聚合物和该光敏单元的该第一端键合。


4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该光敏单元通过一连接基团和该硅基聚合物键合。


5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中该连接基团被配置成能和多个光敏单元键合。


6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中该光敏单元为一第一光敏单元且该连接基团为一第一连接基团，该中间层还包含通过一第二连接基团...

【专利技术属性】
技术研发人员：何俊智，罗冠昕，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71