半导体装置的形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置的形成方法。本发明专利技术实施例提供一种图案化制程。对光阻层进行图案化。通过金属氧化物的沉积制程，将至少部分的光阻层从有机材料转化为无机材料。全部或一些的图案化的光阻层可被转化成碳‑金属‑氧化物。可于图案化的光阻层上形成金属氧化物壳。在转化之后，图案化的光阻层作为蚀刻下层的蚀刻遮罩。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别关于一种图案化制程。
技术介绍
随着半导体装置持续地微缩化，各种制程技术(例如微影)也随之改良用以制造尺寸越来越小的装置。举例来说，随着栅极密度的增加，在装置上各种部件的制程(如上方的内连线部件)也须跟着改良以与整体装置部件的微缩化相容。然而，随着半导体制程的制程宽裕度变小，这些装置的制造已经接近甚至超越微影设备的理论限制。随着半导体装置继续缩小，装置中元件间的间距(例如节距)，比使用传统光学遮罩以及微影设备所能制造的节距还要小。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体装置的形成方法，其包括图案化光阻层以形成遮罩层，遮罩层包括有机材料；将一部分的遮罩层转化为无机材料；以及利用遮罩层蚀刻第一层。本专利技术实施例提供一种半导体装置的形成方法，其包括形成光阻层在目标层上；图案化光阻层以形成一遮罩，遮罩包含有机材料；施加含金属的第一前驱物在遮罩上；以及施加含氧的第二前驱物在遮罩上，其中在施加了第一前驱物和第二前驱物之后，遮罩包括无机材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n图案化一光阻层以形成一遮罩层，该遮罩层包括一有机材料；/n将一部分的该遮罩层转化为一无机材料；以及/n利用该遮罩层蚀刻一第一层。/n

【技术特征摘要】
20180831 US 16/118,8511.一种半导体装置的形成方法，包括：
图案化一光阻层以形成一遮罩层，该遮罩层包括一有机材料；
将一部分的该遮罩层转化为一无机材料；以及
利用该遮罩层蚀刻一第一层。


2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：
在转化部分的该遮罩层之前，执行一去残胶制程，该去残胶制程去除该遮罩层的侧壁部分的材料并且去除该第一层所露出部分的材料。


3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：
在转化部分的该遮罩层之前，执行一修边制程，该修边制程去除该遮罩层的侧壁表面以及上表面的材料。


4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的形成方法，其中，转化部分的该遮罩层包括：通过一原子层沉积制程沉积一金属氧化物到该遮罩层中。


5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的形成方法，其中，转化部分的该遮罩层包括：改变该遮罩层以转化该遮罩层为一碳金属氧化物材料。


6.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的形成方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张竞予，许仲豪，王伟任，潘兴强，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71