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本发明涉及一种半导体装置的形成方法。本发明实施例提供一种图案化制程。对光阻层进行图案化。通过金属氧化物的沉积制程，将至少部分的光阻层从有机材料转化为无机材料。全部或一些的图案化的光阻层可被转化成碳‑金属‑氧化物。可于图案化的光阻层上形成金属...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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